电磁屏蔽材料.ppt

显示窗/器件的处理隔离舱滤波器屏蔽窗滤波器第29页，共32页，星期日，2025年，2月5日操作器件的处理屏蔽体上开小孔屏蔽体上栽上截止波导管用隔离舱将操作器件隔离出第30页，共32页，星期日，2025年，2月5日通风口的处理穿孔金属板截止波导通风板第31页，共32页，星期日，2025年，2月5日贯通导体的处理第32页，共32页，星期日，2025年，2月5日反射损耗与电磁波的波阻抗Zw和屏蔽材料的特征阻抗Zs有关。一般表达式为：R=lg(Zw/4Zs)dB从式中可以看出，对于特定的屏蔽材料（Zs一定），被屏蔽的电磁波的波阻抗越高，则反射损耗越大；对于确定的电磁波（Zw一定），屏蔽材料的阻抗越低，则反射损耗越大。屏蔽材料的阻抗计算方法为：?Zs?=3.68×10-7(f?r/?r)1/2?f=入射电磁波的频率（Hz），?r=相对磁导率，?r=相对电导率在远场：电磁波的波阻抗为377?。在近场：电场波和磁场波的波阻抗是不同的，因此做近场屏蔽时，要分别考虑电场波和磁场波的情况。由于电场波的波阻抗较高，因此反射损耗较大。磁场波的波阻抗较低，往往反射损耗较小。电场波：屏蔽体距离辐射源越近，反射损耗越大。磁场波：屏蔽体距离辐射源越远，反射损耗越大。对强磁场屏蔽遇到一个矛盾，这就是从屏蔽效能考虑，希望材料的磁导率越高越好，但是磁导率高的材料在强磁场的作用下容易发生饱和。解决这个矛盾的方法是，采用双层屏蔽，先用不容易发生饱和的磁导率较低的材料将磁场衰减到一定程度，然后用高导磁率材料将磁场衰减到满足要求。高导磁率材料的一个共性就是在机械加工后磁导率会降低，从而导致屏蔽效能降低。因此，磁屏蔽部件加工完成后，一定要进行热处理，恢复磁性。另外，这些部件在运输过程中也要特别小心，防止机械冲击导致磁导率下降。当电磁波入射到一个缝隙孔洞时，其作用相当于一个偶极天线，当缝隙的长度达到?/2时，其辐射效率最高（与缝隙的宽度无关），也就是说，它可以将激励缝隙的全部能量辐射出去。对于一个厚度为0材料上的缝隙，近似计算公式如图所示，式中各量如下：L=缝隙的长度（mm），H=缝隙的宽度（mm），f=入射电磁波的频率（MHz）。这个公式是远场区中，最坏情况下（造成最大泄漏的极化方向）的屏蔽效能（实际情况下屏蔽效能可能会更大一些）。例：一个机箱上有显示窗口60×20mm，面板与机箱之间的缝隙300×0.3mm，计算远场的屏蔽效能。解：SE显示窗口=100–20lg60–20lgf+20lg（1+2.3lg(60/20))=64-20lgf+6=70-20lgf=0dB在f=2500MHz时(L=?/2)，SE缝隙=100–20lg300–20lgf+20lg（1+2.3lg(300/0.3))=50-20lgf+18=68-20lgf=0dB在f=500MHz时(L=?/2)，在近场区，孔洞的泄漏还与辐射源的特性有关。当辐射源是电场源时，孔洞的泄漏比远场时小（屏蔽效能高），而当辐射源是磁场源时，孔洞的泄漏比远场时要大（屏蔽效能低）。孔洞的电磁泄漏可以用上面两个公式来近似计算，公式中：ZC=辐射源电路的阻抗（?），D=孔洞到辐射源的距离（m），L、H=孔洞长、宽（mm），f=电磁波的频率（MHz）说明：在第二个公式中，屏蔽效能与电磁波的频率没有关系。大多数情况下，电路满足第一个公式的条件，这时的屏蔽效能大于第二中条件下的屏蔽效能。第二个条件中，假设辐射源是纯磁场源，因此可以认为是一种在最坏条件下，对屏蔽效能的保守计算。对于磁场源，屏蔽效能与孔洞到辐射源的距离有关，距离越近，则泄漏越大。这点在设计时一定要注意，磁场辐射源一定要尽量远离孔洞。多个孔洞的情况： 当N个尺寸相同的孔洞排列在一起，并且相距很近（距离小于??/2）时，造成的屏蔽效能下降为20lg?N。在不同面上的孔洞不会增加泄漏，因为其辐射方向不同，这个特点可以在设计中用来避免某一个面的辐射过强。第1页，共32页，星期日，2025年，2