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pn结电容的成因

势垒电容

因为空间电荷是由不能移动的杂质离

当pn结加正向偏压时，势垒区的电场

子组成的，所以空间电荷的减小是由在外加正向偏压增加时，将有一部分

01随正向偏压的增加而减弱，势垒区宽0203

于n区的电子和p区的空穴过来中和了电子和空穴“存入”势垒区

度变窄，空间电荷数量减少

势垒区中一部分电离施主和电离受主

势垒电容

pn结上外加电压的变化，引起了电子和

空穴在势垒区的“存入”和“取出”作

反之，当正向偏压减小时，势垒区的电

用，导致势垒区的空间电荷数量随外加

场增强，势垒区宽度增加，空间电荷数

电压而变化，这和一个电容器的充放电

量增多，这就是有一部分电子和空穴从

作用相似。

势垒区中“取出”​。

这种pn结的电容效应称为势垒电容，以

C表示。

T

扩散电容

0102

当PN结正向偏置时，载流子当如果正偏电压增大，将有

的扩散运动加强，在空间电荷更多的电子从N区扩散到P

区边界少子浓度高于平衡浓度区，更多的空穴从P区扩散

到N区，少子的浓度梯度增

03

加，相当于“充电”

相反，当正偏电压减小时，04

少子浓度梯度下降，空间电

随着电压变化电荷量变化的电容效应，称为PN结的扩散

荷区两边存储的电荷量减少，

电容。由于PN结扩散电容与少数载流子的积累有关，而

相当于“放电”

少数载流子的产生与复合都需要一个时间（称为寿命）

τ

过程，所以扩散电容在高频下基本上不起作用

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