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模拟电子技术第2章二极管及其应用第1页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2．1半导体二极管概述：PN结是在杂质半导体的基础上形成的一种具有特殊性质的物理结构，它是常用的二极管、三极管结构的物理基础，二极管的单向导电性就是由它决定的。常用的二极管的类型很多，主要应用有：整流电路，钳位电路，限幅电路和元件保护电路等。第2页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2.1.1PN结形成
半导体的掺杂特性:杂质半导体有P型和N型两种P型和N型半导体通过一定的方法结合起来，会在两者的界面处形成具有特殊性质的物理结构——PN结PN结有着很特殊的性质——单向导电性。第3页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2.1.2二极管的基本结构和符号在PN结二端加上引线并进行封装，就成为晶体二极管，简称二极管。二极管的文字符号在国际标准中用VD表示，在中国用D来表示。常见的二极管外形和符号如图2.2所示。第4页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2．1．3PN结的导电特性1.外加正向电压使PN结导通2.外加加反向电压使PN结截止第5页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2．1．4二极管的伏安特性伏安特性就是指在二极管两端加电压时，通过二极管的电流与所加电压的关系.关系用曲线表示，则称为伏安特性曲线可以使用实验的手段，描绘出二极管的伏安特性曲线第6页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社1．正向特性当二极管外加正向很小时，正向电流很微弱。只有当正向电压超过某值后，正向电流明显增大，这一电压称为导通电压或门限电压，用UTH表示。在室温下，硅管的UTH=0．5～0．6V。锗管的UTH＝0．1～0．2V。二极管导通后，随电压增大，电流将迅速增大第7页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2．反向特性二极管两端加上反向电压时，只有极微弱反向电流通过。在温度一定情况下，反向电压值变化时，反向电流基本不变，所以，常称之为反向饱和电流，记作IS。小功率硅管的Is一般小于0．1μA，而锗管约几个微安。第8页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社3．反向击穿特性当反向电压达到某值时，如图2.4中达到约－50V时，二极管进入反向击穿状态。此时，uD只要有一点点变化，电流值就会迅速变大。这种状态称为反击击穿状态。第9页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社二极管的伏安特性曲线第10页，共36页，星期日，2025年，2月5日主编：徐丽香副主编：黎旺星张正兰小海电子工业出版社2．1．
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