實驗一
熱電性質與四點探針方法;Outline;實驗原理;清洗方法
蝕刻法乾式蝕刻和濕式蝕刻
溶解法利用適當溶劑溶解附於晶片表面之溶質(雜質)。此法之應用以
極性漸近為原則。從非極性溶劑浸洗。再改浸極性較強之溶
劑,最後以去離子水浸洗
機械法以機械方式清洗晶片表面之污染物,最常用的機械有超音波
振盪器、刷洗機。其最主要之功能是清洗附於晶片表面之粒
狀污染物
化學反應法利用化學反應方法以達到清洗目的,其原則有二:
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