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集成电路制造习题试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共20分。请将正确选项的字母填在括号内）

1.在集成电路制造中，用于形成电路图形的关键步骤是？

A.薄膜沉积

B.离子注入

C.光刻

D.刻蚀

2.以下哪种材料通常用作半导体集成电路的衬底？

A.硅(Si)

B.氧化铝(Al?O?)

C.二氧化硅(SiO?)

D.碳化硅(SiC)

3.在热氧化过程中，在高温下用氧气处理硅片，主要生成的是？

A.硅氮化物(Si?N?)

B.硅烷(SiH?)

C.二氧化硅(SiO?)

D.硅化物(SiX)

4.光刻工艺中，定义曝光区域和未曝光区域界限的技术参数是？

A.线宽

B.临界尺寸(CD)

C.偏移量

D.对准误差

5.在干法刻蚀中，利用化学反应和物理作用同时去除材料的刻蚀方式通常称为？

A.腐蚀

B.湿法刻蚀

C.等离子体刻蚀

D.溅射刻蚀

6.离子注入工艺中，用来控制注入离子束能量的主要设备部件是？

A.加速极

B.靶材

C.离子源

D.质量分析器

7.掺杂目的是为了改变半导体材料的什么特性？

A.颜色

B.密度

C.电学性质（导电性）

D.机械强度

8.外延生长技术主要目的是在单晶衬底上生长一层具有特定晶体结构和掺杂的薄层，常用方法之一是？

A.CVD（化学气相沉积）

B.MOCVD（金属有机化学气相沉积）

C.溅射沉积

D.热氧化

9.集成电路制造过程中，层间介质隔离不同器件和布线层的关键作用是？

A.电气绝缘

B.机械支撑

C.耐高温

D.反射光线

10.通常用于测量硅片表面薄膜厚度的高精度仪器是？

A.光学显微镜

B.超声波测厚仪

C.薄膜椭偏仪

D.X射线衍射仪

二、填空题（每空1分，共15分。请将答案填在横线上）

1.集成电路制造的基本工艺流程通常包括光刻、______、刻蚀、离子注入等多个步骤。

2.半导体材料按导电性可分为______半导体、P型半导体和N型半导体。

3.光刻胶根据其溶解性不同，主要分为正胶和______胶两类。

4.等离子体刻蚀过程中，反应气体分子与被刻蚀材料原子发生化学反应生成挥发性的______，从而实现去除。

5.离子注入后的硅片通常需要进行______退火，以使注入的离子激活并减小注入损伤。

6.在MOSFET器件结构中，位于源极和漏极之间的区域称为______。

7.CVD（化学气相沉积）是利用气体原料在高温下发生化学反应并在基片表面沉积薄膜的一种方法，根据前驱体状态不同可分为低温等离子体CVD（LP-CVD）和______CVD。

8.用于保护已加工完成的器件图形，防止后续工艺损伤的层通常称为______层。

9.描述离子注入时，单位面积上注入的离子总量的物理量是______。

10.集成电路封装的主要目的是保护内部芯片免受______、湿气、机械应力等环境因素的影响。

三、简答题（每题5分，共20分。请简要回答下列问题）

1.简述光刻工艺中，从涂胶到曝光完成的主要步骤及其目的。

2.列举三种常见的集成电路薄膜沉积技术，并简述其基本原理。

3.解释什么是离子注入的注入深度和射程，它们之间有何关系？

4.简述外延生长技术相较于普通薄膜沉积，在集成电路制造中的主要优势。

四、计算题（每题10分，共20分。请列出计算过程并给出结果）

1.某光刻工艺要求在晶圆上制作宽度为1.0μm的金属线。假设光刻系统的工艺窗口（ProcessWindow）为±0.1μm，请计算该金属线的可接受的最小线宽和最大线宽。

2.在一次离子注入实验中，使用能量为100keV的硼离子（B?）进行掺杂。已知注入的剂量为1×1012cm?2。请估算（不考虑晶格损伤和退火效果）该掺杂层在硅片中的平均注入深度大约是多少微米？（提示：可使用射程估算公式R≈0.12*(E/Z)1·?μm，其中E为能量（MeV），Z为离子原子序数，对于B?，Z=5；1MeV=10?eV）

五、综合题（15分）

在制造一个简单的CMOS反相器结构时，其工艺流程大致包括：热氧化形成栅氧化层-第一层金属布线（如电源线）