干法刻蚀辅助型GaN MOSFET：工艺与电学特性的深度解析.docxVIP

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2025-11-12 发布于上海
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干法刻蚀辅助型GaN MOSFET：工艺与电学特性的深度解析.docx

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干法刻蚀辅助型GaNMOSFET：工艺与电学特性的深度解析

一、绪论

1.1研究背景

在现代功率器件领域，GaNMOSFET（氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管）凭借其卓越的性能优势，成为了研究和应用的热点。随着科技的飞速发展，对功率器件的性能要求日益提高，传统的硅基功率器件由于材料特性的限制，在面对高频、高压、大功率等应用场景时，逐渐显得力不从心。而GaN材料作为第三代半导体材料的代表，具有宽禁带宽度（约3.4eV）、高击穿电场（约3×10?V/cm）、高电子迁移率以及高热导率等优异特性，为功率器件的性能提升带来了新的突破。

GaNMOSFET在结构上通常基于硅或碳化硅衬底