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高频电子线路课后习题答案试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题3分，共15分）

1.在高频电路中，为了实现阻抗匹配以获得最大功率传输，常采用（）。

A.电容耦合

B.电感耦合

C.并联谐振

D.传输线匹配

2.晶体管在高频工作时，通常采用（）模型进行分析。

A.低频小信号模型

B.开路时间常数模型

C.混合π模型

D.大信号模型

3.调幅的本质是（）。

A.载波频率的变换

B.载波幅度的变换

C.载波相位的变换

D.调制信号频率的变换

4.下列哪种电路属于正弦波振荡器？（）

A.调谐放大器

B.包络检波器

C.RC相移振荡器

D.频率调制器

5.放大器产生自激振荡的相位条件是（）。

A.总相移等于π

B.总相移等于2nπ(n为整数)

C.总相移等于-π

D.总相移等于π/2

二、填空题（每空2分，共20分）

1.带宽为B的信号通过理想带通滤波器后，其功率最大下降到原来______。

2.并联谐振回路在谐振频率时，呈______性，其阻抗达到最大值。

3.晶体管的密勒效应使得输入和输出阻抗相互影响，在高频时表现为输入电容的增大，这主要是由______极到______极的电容效应引起的。

4.调幅波的带宽是调制信号带宽的______倍。

5.哈特莱振荡器和科尔皮兹振荡器属于______振荡器，其选频网络通常由______和______组成。

三、计算题（共45分）

1.（10分）某并联谐振回路，谐振频率f?=1MHz，回路电容C=200pF，回路电感L=160μH。求谐振阻抗、通频带宽度（Q?=50）。

2.（15分）某高频放大器采用共基极接法，晶体管参数为：r?=50Ω，r?=300Ω，g?=5mA/V，f?=20MHz，f?=200MHz。负载电阻R0xE10xB50xA8=50Ω。求该放大器的中频电压增益、上限截止频率f0xE20x820x99、输入阻抗和输出阻抗（假设输出端匹配）。

3.（20分）已知调制信号m(t)=2cos(2π×103t)V，载波信号c(t)=10cos(2π×10?t)V。写出产生AM调制信号的时域表达式，并求其载波频率、调制指数和带宽。

4.（10分）简述产生自激振荡的相位平衡条件和幅度平衡条件。若某放大器放大倍数A=10，反馈系数β=0.1，且在频率f?处，总的相移φA+φβ=180°，问该放大器能否产生自激振荡？

四、分析题（共20分）

1.（10分）说明为什么谐振放大器通常采用级联谐振回路？级联后，总选择性（Q值）和总增益如何变化？

2.（10分）简述频率调制（FM）的基本原理，与调幅（AM）相比，FM信号的主要优点是什么？

试卷答案

一、选择题

1.D

*解析思路：高频电路阻抗匹配常利用传输线或特定谐振结构实现，传输线匹配是其中一种重要方法。

2.C

*解析思路：高频下晶体管内部电容效应显著，混合π模型能较好地描述其高频特性。

3.B

*解析思路：调制的核心是利用调制信号改变载波某个参数，调幅改变的是载波幅度。

4.C

*解析思路：RC相移振荡器利用RC网络提供相移，满足振荡的相位条件，属于正弦波振荡器。

5.B

*解析思路：满足自激振荡的相位平衡条件要求放大电路与反馈网络的总相移为整数倍的π，即0或2nπ。

二、填空题

1.1/2

*解析思路：理想带通滤波器将信号能量集中在带宽B内，根据能量守恒，滤波器外能量为0，总功率最大下降为带宽内功率的一半。

2.电

*解析思路：并联谐振时，感抗等于容抗，电路总阻抗最大，且呈纯阻性，阻抗值约为L/C。

3.输入，输出

*解析思路：密勒效应是输入信号通过晶体管极间电容（主要是Cbc）被放大到输出端的效果，表现为输入电容的显著增大。

4.2

*解析思路：根据调幅波时域表达式s(t)=(1+m(t))c(t)，其频谱包含载波频率f?和上下边带频率f?±f0xE10xB50xA3，带宽为2f0xE10xB50xA3=2f0xE20x820x99，调制信号带宽为f0xE20x820x99。

5.LC，电感，电容

*解析思路：哈特莱和科尔皮兹