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内置MOSFET
单节锂电池保护芯片
CSM4102
Aug.2024
综述特性
CSM4102是一款适用于单节锂电池的低功耗保护芯片。待机时静态电流:1.4μA(典型值)
它内置MOSFET,且具有充电过压保护、充电过流保护,休眠电流:0.3μA(典型值)
过放电压保护、两级放电过流保护、短路保护和过温保内置MOSFET阻抗:48mΩ(典型值)
护等功能。在提供保护功能同时具有低功耗特性,可延充电过压检测电压为4.30V±50mV,
长锂电池使用寿命,并防止损坏。充电过压释放电压为4.15V+50mV/-70mV
过放检测电压为2.45V±100mV,
此产品可以自动激活。如图1所示,当RVDD在0.47kΩ过放释放电压为3.00V±100mV
至2kΩ范围内,且CVDD在0.1μF至1.0μF范围内时,两级放电过流保护:
CSM4102接入电池后就能正常工作,此为自动激活功IOCI1=3.8A(典型值)
能。注意,为满足电池点焊的要求,RVDD须大于1kΩ,IOCI2=7.0A(典型值)
且CVDD须大于0.1μF。充电过流保护:3.8A(典型值)
过温保护
CSM4102工作于-40°Cto+85°C,并采用绿色环保的支持自动激活
SOT-23-5封装。支持零电压充电
应用范围
单节锂电池
典型应用
Charger+
RVDD=1kΩ
VDD
CSM4102
CVDD=0.1μF
VM
GNDVMCharger-
图1.典型应用电路
November2023
Ver0.1
单节锂电池保护芯片
CSM4
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