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2025年半导体物理和器件复习题
一、填空题（每题2分，共20分）
1.半导体材料的禁带宽度通常在______之间。
2.当温度升高时，半导体的载流子浓度会______。
3.PN结在正向偏置时，其耗尽层宽度会______。
4.晶体管的放大作用是基于其______的特性。
5.MOSFET的栅极电压对沟道形成的影响是通过______实现的。
6.二极管的反向电流通常很小，这是因为______。
7.双极结型晶体管（BJT）的电流放大系数β通常在______之间。
8.MOSFET的阈值电压是影响其开关特性的关键参数，其值通常在______之间。
9.半导体中的少数载流子
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