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碳化硅产业链解读

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CONTENTS

02

上游环节分析

01

产业链概述

03

中游制造环节

04

下游应用领域

05

市场动态分析

06

发展趋势展望

01

产业链概述

核心环节构成

原材料制备

高纯度硅粉和碳源（如石油焦）是碳化硅生产的核心原料，需通过高温合成工艺制备碳化硅粉体，其纯度直接影响后续晶锭质量。

晶体生长

采用物理气相传输法（PVT）或液相法生长碳化硅单晶，技术壁垒极高，晶锭的直径扩大（如从4英寸向8英寸升级）是行业关键突破点。

晶圆加工

包括切割、研磨、抛光和清洗等工序，因碳化硅硬度高（莫氏硬度9.2），需使用金刚石线切割等特殊工艺，加工损耗率高达60%-70%。

器件制造

涉及外延生长（如SiC外延层）、光刻、离子注入等半导体工艺，需适配高温高压环境，对设备及工艺稳定性要求严苛。

上游高集中度

中游区域分化

原材料和晶体生长环节由美国科锐（Wolfspeed）、德国SiCrystal等巨头垄断，全球前五大厂商市占率超80%。

晶圆加工以日本（昭和电工、新日铁）和中国（天科合达、天岳先进）为主，但高端抛光技术仍依赖欧美企业。

价值链分布特征

下游应用驱动

功率器件（MOSFET、二极管）市场由英飞凌、意法半导体主导，新能源汽车、光伏逆变器等需求推动产业链价值向下游转移。

利润率梯度

晶体生长环节毛利率可达50%以上，而器件制造因研发投入大，毛利率约30%-40%，封装测试环节利润率最低（15%-20%）。

关键技术节点

大尺寸晶锭技术

8英寸碳化硅晶锭量产是行业里程碑，可降低单位成本30%以上，但需解决热场均匀性和缺陷控制问题。

外延生长优化

降低外延层缺陷密度（如微管、堆垛层错）至＜0.5/cm²，提升器件良率和耐压性能（如1700V以上）。

沟槽栅结构设计

通过改进MOSFET沟槽刻蚀工艺，减少导通电阻（Rds(on)）和开关损耗，提升能源转换效率至99%以上。

高温封装技术

开发银烧结、铜键合等新型互连工艺，解决碳化硅器件在200℃以上工况下的可靠性问题。

02

上游环节分析

原材料获取路径

高纯度石英砂是碳化硅生产的基础原料，需通过酸洗、浮选等工艺去除铁、铝等杂质，纯度要求达99.9%以上，直接影响晶体生长质量。

石英砂提纯工艺

作为碳源材料需经过高温煅烧（1300℃以上）处理，挥发分需控制在0.5%以下，其微观结构对碳化硅晶体形核有决定性影响。

石油焦深加工技术

长晶环节需使用高纯等静压石墨坩埚，其热导率需稳定在90-120W/(m·K)，目前主要依赖日本东洋碳素等进口供应商。

石墨坩埚配套体系

掌握全球40%的6英寸碳化硅衬底产能，其专利布局覆盖晶体生长炉设计、籽晶处理等200余项核心技术。

主要供应商格局

美国科锐（Cree）主导地位

从衬底到模块的全产业链布局，2023年投资500亿日元扩建福冈工厂，月产能提升至3万片8英寸晶圆。

日本罗姆（ROHM）垂直整合

2022年实现6英寸导电型衬底量产，缺陷密度控制在500cm⁻²以下，已进入比亚迪供应链体系。

中国天科合达突围

成本控制因素

长晶能耗优化

采用感应加热替代电阻加热可降低30%能耗，单晶炉热场设计改进使电力成本从60%降至45%左右。

切片损耗控制

金刚石多线切割技术将材料损耗率从传统砂浆切割的50%降至20%，加工成本下降40%。

设备国产化替代

国内厂商开发的碳化硅单晶生长设备价格仅为进口设备的60%，折旧成本可降低25-30%。

03

中游制造环节

晶圆生产流程

单晶生长工艺

采用物理气相传输法或高温化学气相沉积法，在特定温控环境下生长高纯度碳化硅单晶，确保晶体结构完整性和电学性能稳定性。

02

04

03

01

晶圆抛光与清洗

采用化学机械抛光技术实现原子级平整度，配合超纯水与有机溶剂的多级清洗流程，去除表面颗粒污染物和金属离子残留。

晶锭切割与研磨

通过金刚石线锯将晶锭切割为毫米级厚度的晶圆，随后进行双面精密研磨以消除切割损伤层，表面粗糙度需控制在纳米级范围内。

外延层沉积

在抛光晶圆表面通过外延生长设备沉积特定厚度的氮化镓或碳化硅外延层，精确控制掺杂浓度以形成器件所需的导电沟道。

器件加工技术

光刻与刻蚀工艺

采用深紫外光刻技术实现亚微米级图形转移，结合反应离子刻蚀形成三维器件结构，关键尺寸偏差需小于工艺节点的10%。

01

离子注入与退火

通过高能离子注入精确调控掺杂分布，后续采用快速热退火工艺激活掺杂原子，温度控制精度需达到±5℃以内。

介质层沉积

使用等离子体增强化学气相沉积技术生长高质量氧化硅或氮化硅介质层，界面态密度需低于1×10¹¹cm⁻²eV⁻¹。

金属化与互联

采用溅射工艺沉积钛/镍/金多层金属体系，通过光刻和lift-off工艺形成欧姆接触，接触电阻率需优于1×10⁻⁵Ω·cm