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阳极金属调制对氮化镓基肖特基二极管特性影响的深度剖析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子技术的飞速发展，对高频大功率器件的需求日益增长，氮化镓基肖特基二极管（GaN-basedSchottkyDiode）因其独特的材料特性和优异的电学性能，在高频大功率应用领域中占据着举足轻重的地位。氮化镓（GaN）作为第三代半导体材料的代表，拥有宽禁带宽度（约3.4eV）、高电子迁移率（约2000cm2/Vs）以及高热导率（约2.5W/cm?K）等优势，使得基于AlGaN/GaN异质结构的肖特基二极管具备开关速度快、耐高压、耐高温以及抗辐射等特性，能够满足如高效微波无线电能传输、5G通信基站、雷达等高频大功率应用场景的严格需求，逐渐成为电力电子领域的重点研究对象。

在实际应用中，开启电压是衡量氮化镓基肖特基二极管性能的关键指标之一。低开启电压对于提升器件性能具有多方面的关键作用。在功率转换效率方面，低开启电压意味着在正向导通时，器件上的电压降更小，根据功率公式P=VI（其中P为功率，V为电压，I为电流），在相同电流情况下，电压降的减小能够显著降低功率损耗，提高功率转换效率，这对于能源的有效利用和设备的节能运行具有重要意义。在高频响应特性上，低开启电压可以使器件更快地进入导通状态，提高器件的开关速度，从而更好地适应高频信号的快速变化，满足高频应用中对信号快速处理和传输的要求，例如在5G通信等高频通信领域，低开启电压的肖特基二极管能够有效提升信号的处理速度和传输质量，减少信号失真和延迟。

然而，传统平面型AlGaN/GaN肖特基二极管面临着开启电压难以降低的技术难题，这成为限制其广泛应用的重要因素。为了解决这一问题，研究人员采用凹槽阳极结构结合低功函数金属的方法，这种方法能够有效降低器件开启电压，但常规的反应离子刻蚀工艺在凹槽刻蚀过程中存在精度不足、刻蚀损伤大的明显不足。精度不足会导致凹槽刻蚀深度难以精确控制，使得器件开启电压出现波动，影响器件性能的一致性和稳定性；刻蚀损伤大会引入额外的缺陷和漏电路径，不仅会增大器件泄漏电流，还会对器件反向电特性产生不利影响，降低器件的可靠性和使用寿命。因此，如何通过有效的方法实现低开启电压，同时保证器件的其他性能不受影响，成为当前氮化镓基肖特基二极管研究的关键问题。

阳极金属调制作为一种潜在的有效解决方案，为实现低开启电压的氮化镓基肖特基二极管提供了新的研究方向。通过对阳极金属的选择、优化以及与其他工艺的协同作用，可以改变金属与半导体之间的肖特基势垒高度和特性，从而实现对器件开启电压的有效调控。研究阳极金属调制对氮化镓基肖特基二极管特性的影响，不仅有助于深入理解器件的工作机理，还能够为开发高性能的氮化镓基肖特基二极管提供理论依据和技术支持，对于推动其在高频大功率领域的广泛应用具有重要的现实意义。

1.2国内外研究现状

国内外学者在氮化镓基肖特基二极管阳极金属调制及低开启电压方面开展了大量研究，取得了一系列重要成果。在阳极金属调制方面，中国科学院微电子研究所康玄武课题组系统研究了阳极金属对无凹槽AlGaN/GaNSBD性能的影响，发现与常用的Ni/Au阳极相比，TiN阳极的VT降低了0.22V，同时IR降低了一倍。通过分析电流传输机制，揭示了TiN阳极抑制了AlGaN中的N向TiN扩散，降低了氮空位缺陷密度，从而实现低VT和IR的原因，为阳极金属的优化选择提供了重要的理论指导。

在低开启电压研究方面，西安电子科技大学的研究团队针对传统反应离子刻蚀工艺在凹槽刻蚀中的不足，开发出低损伤慢速刻蚀工艺方法，实现了凹槽深度精确可控、刻蚀倾角显著改善、刻蚀损伤得到有效抑制的凹槽阳极AlGaN/GaN肖特基二极管，有效降低了开启电压与反向漏电。在此基础上，采用更低功函数的W金属作为阳极金属，将器件开启电压进一步降低至0.32V，亚阈值摆幅为64mV/dec，显著提升了器件性能。

尽管现有研究取得了一定进展，但仍存在一些不足之处。一方面，对于阳极金属与氮化镓之间的界面特性和相互作用机制的研究还不够深入，导致在阳极金属的选择和优化上缺乏更精准的理论指导，难以实现器件性能的进一步提升。另一方面，在降低开启电压的同时，如何更好地平衡器件的其他性能，如反向耐压能力、热稳定性等，还需要进一步探索有效的解决方案。此外，目前的研究大多集中在实验室阶段，如何将研究成果转化为实际生产技术，实现高性能氮化镓基肖特基二极管的产业化，也是亟待解决的问题。

1.3研究内容与方法

本研究旨在深入探究基于阳极金属调制的低开启电压氮化镓基肖特基二极管的特性，主要研究内容包括以下几个方面：

不同阳极金属对二极管特性的影响：系统研究多种阳极金属（如TiN