超低介堇青石基陶瓷与5G原型天线集成应用研究.pdfVIP

摘要

随着第五代移动通信技术(5G)和物联网技术的快速发展，对电子信息材料的

需求也日益增长，同时也提出了更高的性能要求。微波介质陶瓷在移动基站、卫

星通信、军用雷达、GPS、蓝牙技术等领域有着广泛的应用。具有稳定温度系数

(τ)和高Q值(Q×f)的低介电常数()微波介质陶瓷是未来5G基站滤波器的重要

f

解决方案。本文采用高温固相反应法合成超低介电常数堇青石(MgAlSiO)基

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微波陶瓷，具体研究内容如下：

(1)Mg(LiGa)AlSiO(x=0-0.1)陶瓷的微波介电性能。实验通过固相

2-x0.50.5x4518

反应法合成Mg(LiGa)AlSiO(x=0-0.1)陶瓷，所有组分均为堇青石固溶

2-x0.50.5x4518

体。陶瓷的相对介电常数主要与化学键的离子性、离子极化率、密度等因素有关，

其中Mg-O键的离子性相对Al-O键和Si-O键的影响较大，其离子性与介电常数

呈正相关。陶瓷晶体结构中Si-O键的晶格能远大于Mg-O键和Al-O键的晶格能，

Si-O键晶格能、原子填充率和晶体结构中[SiAlO]六元环的对称度对Q×f值有

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着重要作用。陶瓷的τ值主要与键能、热膨胀系数和[MgO]八面体的畸变程度

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有关，三种化学键的键能属Al-O键最大，对陶瓷温度稳定性影响最大。当x=0.02

时，具有最佳综合微波介电性能为：=4.72，Q×f=42,170GHz，τ=-29ppm/℃。

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(2)MgRAlSiO(R=Ca,Sr,Ba,Mn,Co,Ni,Cu,Zn)陶瓷的微波介电性

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能。本实验系统研究MgRAlSiO(R=Ca,Sr,Ba,Mn,Co,Ni,Cu,Zn)陶瓷的

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微波介电性能与二价元素离子极化率、化学键和晶体结构之间的联系。实验结果

发现所有组分的相对介电常数在4-6之间，数值与R元素的离子极化率和化学键

的离子性有关。陶瓷的Q×f值和τ值呈现如下规律：在R元素为第四周期过度

f

金属元素(Mn、Co、Ni、Cu、Zn)时要优于R元素为第二主族碱土元素(Ca、Sr、

Ba)，其中当R=Ni时陶瓷的Q×f值最大，为61,880GHz，此时相应的介电常数

和τ值分别为4.53和-32ppm/℃。

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(3)堇青石陶瓷的温度系数调控、光谱研究与5G天线集成。本实验通过添

加不同质量百分比的TiO调节堇青石的τ值，当加入的TiO质量百分比为

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5.5wt%时，陶瓷的τ值被调节到-2.8ppm/℃，此时相应的介电常数和Q×f