高压碳化硅功率UMOSFET的元胞设计与单粒子损伤模拟研究.pdfVIP

摘要

由于碳化硅功率UMOSFET器件集高性能与高可靠性于一身，所以碳化硅功率

UMOSFET器件除了在日常生活场景中得到广泛的应用外，在各种军用设备和各种航天航空

设备上都被普遍的使用。当碳化硅功率UMOSFET器件被应用于日常的生活场景中时，要求

其具有低的导通损耗。但是，当碳化硅功率UMOSFET器件工作于军事和航天系统中的时候，

还要求碳化硅功率UMOSFET器件具有较好的抗辐射能力。针对上述的要求，本文主要进行

了以下工作：

1、提出了P体区下具有电场调制区域的碳化硅功率UMOSFET器件结构，其特点是在P

体区下存在一个电场调制区域。电场调制区域有效降低了碳化硅功率UMOSFET器件沟槽底

部的峰值电场强度，使得器件的反向击穿电压得到了大幅的提升（提升了约25.2%）。同时，

电场调制区域中的N型区域也有效降低了功率器件导通时的特征导通电阻（下降了约29%）。

与传统碳化硅功率UMOSFET器件结构相比，P体区下具有电场调制区域的碳化硅功率

UMOSFET器件结构的优值提高了120.5%。

2、通过对具有2400V反向击穿电压的碳化硅功率UMOSFET器件进行仿真研究发现，

在研究高压碳化硅功率器件的单粒子烧毁时应当使用温度来衡量器件是否发生烧毁。

3、研究了一种具有接地P体区与N型缓冲层的碳化硅功率器件结构，该结构使得在线

性传输能密度为0.1pC/μm的条件下，器件抗单粒子烧毁的阈值从900V提高到了2130V（提

高了约136.7%）并且没有使器件的基础特性变差。

关键词：4H-SiC，UMOSFET，击穿电压，特征导通电阻，优值，单粒子烧毁

ABSTRACT

BecausesiliconcarbidepowerUMOSFETdevicescombinehighperformanceandhigh

reliability,inadditiontobeingwidelyusedindailylifescenarios,siliconcarbidepowerUMOSFET

devicesarewidelyusedinvariousmilitaryequipmentandvariousaerospaceequipment.When

siliconcarbidepowerUMOSFETdevicesareusedindailylifescenarios,werequirethemtohave

lowconductionlosses.However,whensiliconcarbidepowerUMOSFETdevicesworkinmilitary

andaerospacesystems,werequiresiliconcarbidepowerUMOSFETdevicestohavebetterradiation

resistance.Inresponsetotheaboverequirements,basedonthetraditionalsiliconcarbidepower

UMOSFETdevicestructure,thisarticlemainlycarriedoutthefollowingwork:

1.AsiliconcarbidepowerUMOSFETdevicestructurewithanelectricfieldmodulationarea

undertheP-bodyregionisproposed.Itscharacteristicisthatthereisanelectricfieldmodulationarea

undertheP-bodyregion.Theelectricfieldmodulationareaeffectivelyreducesthepeakelectricfield

intensityatthe