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2025-11-19 发布于北京
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TI-NCSUSiCDriverY3ProjectMinute

2/10/2016

TIattendee:Stephanie,Johan,Raji,Rais

NCSUattendee:AlexHuang,SuxuanGuo,LiqiZhang,PengkunLiu

•Temperaturesensitivitycomparison:Rds,onvsVthvsRg,int(ofGen.2fromCREE)

Conclusion:Rg,intisnotgoodenoughtopersuefurtherinvestiion.

Opinion:Addbodydiodecomparison.Couldhaveothersampfromothercompanyproduct.

TiQ:Distribution?

A:Vthhastwodatathat’sfardifferent.Needtolookintothemandpresentlater.

•ComparisonofGen.2andGen.3MOSFETwithsamemodule.

TIQ:whyfalltimeisnotreduced?

A:Notsurerightnow.20Vvs16V,maybeintroducelargercurrent.

TIO:Timegapisaproblem,maybetheprobeorotherexperimentequipmentwillinfluencethe

results.Re-calibrateanddoitlater.

TIO:Powersupplyusingboostmaybeaissue?

TIO:Shouldprepare800Voperationinfurtherinvestiion.

•Losssswitchinghighcurrentintegratedmodule.

Tomovetohighercurrent,moduneedtobeparalleled.Provethepointthatdistributeddrivers

areneedinthisoccasion.

TIQ:Comparisonshouldbeclearerandincludethestateofartandthenewterritoryyouwanttogo

to,alsotemperaturebehavior.

Generatetableforcomparisons:(CREE,ABB)parts,potentialspeed.

Opinion:Datafortheunbalanceweendifferentway.NeedhaveRonforthechipbeforethe

simulationofcurrentdensity.

TIO:ACbusbarmaybenotoneformulti-phaseuse.

TI‑NCSUSiC驱动器Y3项目纪要

2016年2月10

日

TI与会者：Stephanie、Johan、Raji、Rais

NCSU与会者：AlexHuang、SuxuanGuo、LiqiZhang、PengkunLiu

•温度敏感性比较：Rds,on与Vth与Rg,int（来自CREE的Gen.2）结论：

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