2025年大学《大功率半导体科学与工程-半导体制造工艺》考试参考题库及答案解析.docxVIP

2025年大学《大功率半导体科学与工程-半导体制造工艺》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.半导体制造工艺中，用于去除晶圆表面自然氧化层的工艺是（）

A.热氧化

B.湿法清洗

C.干法刻蚀

D.化学气相沉积

答案：B

解析：湿法清洗利用化学溶液去除晶圆表面的杂质和自然氧化层，这是半导体制造工艺中常用的步骤之一。热氧化是形成氧化层的过程，干法刻蚀用于精确去除材料，化学气相沉积是沉积薄膜的方法。

2.在半导体器件制造中，以下哪项工艺属于光刻工艺的后续步骤？（）

A.腐蚀

B.掺杂

C.氧化

D.涂胶

答案：A

解析：光刻工艺后，通常进行腐蚀步骤，以根据光刻胶的图案去除不需要的材料。掺杂和氧化是独立的工艺步骤，涂胶是光刻工艺的一部分。

3.半导体制造中，用于提高晶圆表面均匀性的工艺是（）

A.等离子体增强化学气相沉积

B.均匀加热

C.光刻

D.离子注入

答案：B

解析：均匀加热可以确保晶圆表面温度一致，从而提高后续工艺的均匀性。等离子体增强化学气相沉积、光刻和离子注入都是特定的工艺，但不直接针对提高表面均匀性。

4.半导体器件制造中，以下哪项工艺会导致晶圆表面形成沟槽？（）

A.热氧化

B.干法刻蚀

C.化学气相沉积

D.湿法清洗

答案：B

解析：干法刻蚀利用等离子体反应去除材料，可以形成精确的沟槽图案。热氧化形成氧化层，化学气相沉积形成薄膜，湿法清洗去除表面杂质。

5.在半导体制造中，以下哪项材料常用于掩模版制作？（）

A.硅

B.光刻胶

C.硅氮化物

D.玻璃

答案：D

解析：掩模版通常由玻璃制成，上面覆盖有金属或聚合物涂层，用于定义光刻图案。硅是半导体材料，光刻胶是光刻工艺中使用的材料，硅氮化物是薄膜材料。

6.半导体器件制造中，以下哪项工艺属于低温工艺？（）

A.离子注入

B.等离子体增强化学气相沉积

C.热氧化

D.干法刻蚀

答案：C

解析：热氧化通常在较低的温度下进行，以避免对晶圆表面造成损伤。离子注入、等离子体增强化学气相沉积和干法刻蚀通常在较高温度下进行。

7.在半导体制造中，以下哪项工艺会导致晶圆表面形成薄膜？（）

A.腐蚀

B.掺杂

C.化学气相沉积

D.光刻

答案：C

解析：化学气相沉积是一种在晶圆表面形成薄膜的工艺。腐蚀是去除材料，掺杂是引入杂质，光刻是定义图案。

8.半导体器件制造中，以下哪项工艺属于高温工艺？（）

A.湿法清洗

B.等离子体增强化学气相沉积

C.热氧化

D.离子注入

答案：C

解析：热氧化通常在较高的温度下进行，以形成稳定的氧化层。湿法清洗、等离子体增强化学气相沉积和离子注入可以在不同的温度下进行，但热氧化是典型的低温工艺。

9.在半导体制造中，以下哪项材料常用于绝缘层？（）

A.硅

B.二氧化硅

C.硅氮化物

D.金属

答案：B

解析：二氧化硅是常用的绝缘材料，用于隔离器件的不同部分。硅是半导体材料，硅氮化物是薄膜材料，金属用于导电。

10.半导体器件制造中，以下哪项工艺属于薄膜沉积工艺？（）

A.腐蚀

B.掺杂

C.化学气相沉积

D.光刻

答案：C

解析：化学气相沉积是一种薄膜沉积工艺，用于在晶圆表面形成各种薄膜。腐蚀是去除材料，掺杂是引入杂质，光刻是定义图案。

11.半导体制造工艺中，以下哪种气体通常用于等离子体增强化学气相沉积形成硅氮化物？（）

A.氮气

B.氢气

C.氧气

D.氯气

答案：A

解析：在等离子体增强化学气相沉积中，形成硅氮化物通常使用硅烷（SiH4）和氮气（N2）作为反应气体。氢气用于去除杂质，氧气用于形成氧化层，氯气用于形成氯化物。

12.在半导体器件制造中，以下哪项是薄膜沉积工艺中常用的真空环境？（）

A.大气压环境

B.超高真空环境

C.氮气保护环境

D.氢气保护环境

答案：B

解析：薄膜沉积工艺，如化学气相沉积和物理气相沉积，通常在超高真空环境中进行，以减少杂质的影响并提高沉积均匀性。大气压环境不利于薄膜沉积，氮气或氢气保护环境主要用于防止氧化，但不是薄膜沉积的主要要求。

13.半导体制造中，以下哪种方法常用于去除晶圆表面的金属污染？（）

A.热氧化

B.湿法清洗

C.干法刻蚀

D.化学气相沉积

答案：B

解析：湿法清洗利用化学溶液可以有效去除晶圆表面的金属污染和其他杂质。热氧化形成氧化层，干法刻蚀用于精确去除材料，化学气相沉积是沉积薄膜的方法。

14.在半导体器件制造中，以下哪项工艺是离子注入的后续步骤？（）

A.光刻

B.腐蚀

C.掺杂

D.氧化

答案：B

解析：离子注入后通常进行退火工艺以激活注入的离子，有时