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《热加工工艺》2020年3月第49卷第6期
•复合材料•
SPS法制备Si/Al电子封装材料研究
刘芳，常庆明，孙泽，刘安权
(武汉科技大学钢铁冶金及资源利用省部共建教育部重点实验室，湖北武汉430081)
摘要：采用放电等离子烧结(SPS)技术+粉末冶金法来制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料。通过
测定和对比不同SPS烧结工艺参数下的电子封装材料的性能，分析工艺参数(烧结压力、烧结温度、Si含量)对烧结样
性能(致密度、热导率、热膨胀系数)的影响规律，探讨其影响机制。结果表明：控制烧结温度为550X?,烧结压力48
MPa,Si含量为50vol%可制备制备低膨胀、低密度、高导热的Si/Al电子封装材料，其致密度可达96%,热导率可达120
W/(m・K),热膨胀系数可达11mnVKo
关键词：Si/Al电子封装材料；SPS技术；热膨胀系数；热导率
DOI:10・1415閲・cnki.1001-3814
中图分类号:TB333文献标识码：A文章编号:1001-3814(2020)6-00力・04
StudyonSi/AlElectronicPackagingMaterialsPreparedbySPS
LIUFang,CHANGQingming,SUNZe,LIUAnquan
(KeyLaboratoryforFerrousMetallurgyandResourcesUtilizationofMinistryofEducation,WuhanUniversityofScienceand
Technology,Wuhan430081,China)
Abstract:PowdermetallurgywithSPStechnologywasusedtofabricateSi/Alelectronicpackagingmaterialswithlow
coefficienofthermalexpansion,lowdensityandhighthermalconductivity.Theinfluencesoftechnicalparameters(suchas
sinteringpressureandtemperature,contenofSi)onthepropertiesofsamples(suchasdensity,thermalconductivityand
expansioncoefficient)wereanalyzedbymeasuringandcomparingthepropertiesofthepackagingmaterialspreparedunder
differenSPSsinteringparameters.Theeffectivemechanismwasdiscussed.Theresultsshowthawhenthesintering
temperatureis550°C,sinteringpressureis48MPaandthecontenofSiis50vol%,Si/Alelectronicpackagingmaterialswith
lowexpansion,lowdensity,highthermalconductivitycanbeobtainedsuccessfully.Therelativedensitycanreach96%,the
thermalconductivitycanapproach120W/(m・K)andthethermalexpansioncoefficiencanbeuptol1mm/K.
Keywords:Si/Alelec
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