2025年大学《测控技术与仪器-电子技术》考试备考题库及答案解析.docxVIP

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2025年大学《测控技术与仪器-电子技术》考试备考题库及答案解析

单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________

一、选择题

1.晶体三极管放大电路中,为了稳定静态工作点,通常采用()

A.电流负反馈

B.电压负反馈

C.交流反馈

D.直流负反馈

答案:D

解析:稳定静态工作点主要针对直流分量,因此应采用直流负反馈。电流负反馈和电压负反馈主要影响交流性能,交流反馈是针对交流分量的反馈,不符合稳定静态工作点的需求。

2.在数字电路中,实现逻辑“与”功能的门电路是()

A.与非门

B.或门

C.异或门

D.与门

答案:D

解析:与门电路只有当所有输入端都为高电平时,输出端才为高电平,实现逻辑“与”功能。与非门是在与门的基础上增加了一个非门,或门实现逻辑“或”功能,异或门实现逻辑“异或”功能。

3.二极管正向导通的条件是()

A.正向电压大于反向饱和电流

B.正向电压小于反向饱和电流

C.正向电压大于死区电压

D.反向电压大于正向饱和电流

答案:C

解析:二极管正向导通需要正向电压大于其死区电压,通常硅二极管的死区电压约为0.5V,锗二极管约为0.1V。当正向电压小于死区电压时,二极管处于截止状态。

4.在RC串联电路中,若要使输出电压领先输入电压,电路应工作在()

A.低频区

B.谐振频率

C.高频区

D.临界频率

答案:C

解析:在RC串联电路中,输出电压通过电容取用,电容对高频信号阻碍较小。因此,在高频区,电容的阻抗较小,输出电压领先输入电压。在低频区,电容阻抗较大,输出电压滞后输入电压。

5.滤波器的作用是()

A.放大信号

B.稳定电源电压

C.选择特定频率的信号

D.增强信号的抗干扰能力

答案:C

解析:滤波器的主要作用是选择特定频率的信号通过,同时抑制其他不需要的频率成分。放大信号是放大器的功能,稳定电源电压是稳压器的功能,增强信号的抗干扰能力通常通过屏蔽或其他技术实现。

6.在放大电路中,引入负反馈会导致()

A.放大倍数增加

B.输出电阻减小

C.输入电阻增大

D.稳定性降低

答案:B

解析:引入负反馈会导致放大倍数降低,但可以提高电路的稳定性、扩展频带、减小非线性失真等。负反馈会减小输出电阻,增大输入电阻,因此输出电阻减小是引入负反馈的一个结果。

7.模拟信号转换为数字信号的过程称为()

A.采样

B.保持

C.量化

D.编码

答案:D

解析:模拟信号转换为数字信号的过程包括采样、保持、量化、编码四个步骤。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号,保持是将采样后的信号保持一段时间,量化是将连续幅值信号转换为离散幅值信号,编码是将量化后的信号转换为二进制代码。

8.在双极结型晶体管中,基极电流IB=0时,集电极电流IC()

A.为0

B.等于ICEO

C.等于IB

D.无法确定

答案:B

解析:在双极结型晶体管中,基极电流IB=0时,集电极电流IC等于ICEO,即集电极漏电流。ICEO是晶体管在截止状态下流过的电流,通常非常小。当IB0时,IC=β*IB+ICEO,其中β是晶体管的电流放大系数。

9.在脉冲电路中,用于产生矩形波信号的电路是()

A.单稳态触发器

B.施密特触发器

C.多谐振荡器

D.D触发器

答案:C

解析:单稳态触发器用于产生单次脉冲信号,施密特触发器用于波形整形,D触发器用于数据存储和传输。多谐振荡器是一种自激振荡电路,能够产生矩形波、方波等周期性脉冲信号。

10.在数字电路中,实现数据锁存功能的电路是()

A.与门

B.或门

C.触发器

D.编码器

答案:C

解析:触发器是数字电路中的一种基本逻辑单元,具有存储功能,能够锁存输入数据。与门和或门是基本的逻辑门,编码器用于将多个输入信号编码为少数几个输出信号。

11.在放大电路中,为了提高输入电阻和降低输出电阻,应引入()

A.电压串联负反馈

B.电压并联负反馈

C.电流串联负反馈

D.电流并联负反馈

答案:C

解析:引入负反馈可以改善放大电路的性能。电流串联负反馈能够提高输入电阻,降低输出电阻,适用于需要高输入阻抗、低输出阻抗的电路,例如测量仪器。电压串联负反馈降低输入电阻,提高输出电阻;电压并联负反馈提高输入电阻,降低输出电阻;电流并联负反馈降低输入电阻,提高输出电阻。

12.晶体管工作在饱和区时,其发射结和集电结()

A.均为正向偏置

B.均为反向偏置

C.发射结正向偏置,集电结反向偏置

D.发射结反向偏置,集电结正向偏置

答案:A

解析:晶体管工作在饱和区时,基极电流IB足够大,使得集电极电流IC达到其最大值,即饱和电流ICS。在饱和状态下,发射结和集电结均为正向偏置

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