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2025年模电专升本考试题及答案

1.单项选择题（每题2分，共20分）

1.1某硅NPN晶体管在室温下测得VBE=0.68V，IC=1.2mA，若忽略Early效应，其交流小信号跨导gm最接近

A.18mS?B.46mS?C.28mS?D.36mS

答案：B

解析：gm=IC/VT，VT≈26mV，gm≈1.2mA/26mV≈46mS。

1.2在理想运算放大器构成的反相积分器中，输入电阻R=10kΩ，反馈电容C=15nF，若输入为幅值2V的阶跃电压，输出电压从零开始线性下降，经0.3ms后其幅值约为

A.?4V?B.?2V?C.?1V?D.?0.5V

答案：A

解析：Vo=?(1/RC)∫Vidt=?(1/(10kΩ×15nF))×2V×0.3ms=?4V。

1.3某MOSFET的阈值电压VTH=1.0V，工艺跨导参数k′=120μA/V2，宽长比W/L=25，若工作在饱和区且ID=3mA，则过驱动电压Vov约为

A.0.45V?B.0.55V?C.0.65V?D.0.75V

答案：C

解析：ID=?k′(W/L)Vov2?Vov=√(2ID/(k′W/L))=√(6mA/(120μA×25))≈0.65V。

1.4图1.4所示共源放大器，RD=4kΩ，RL=6kΩ，CS足够大，若gm=2mS，ro可忽略，则中频电压增益Av≈

A.?4.8?B.?6.4?C.?8.0?D.?9.6

答案：A

解析：Av=?gm(RD∥RL)=?2mS×(4kΩ∥6kΩ)=?2mS×2.4kΩ=?4.8。

1.5某负反馈放大器开环增益A=10?，闭环增益Af=50，若A下降20%，则Af的相对变化约为

A.0.01%?B.0.1%?C.0.5%?D.1%

答案：B

解析：反馈深度F=A/Af=200，ΔAf/Af≈(ΔA/A)/F=20%/200=0.1%。

1.6图1.6所示理想二极管电路，vi=10sinωtV，R=1kΩ，输出电压vo的直流平均值约为

A.3.18V?B.6.36V?C.0V?D.?3.18V

答案：A

解析：半波整流，Vdc=Vm/π=10/π≈3.18V。

1.7某BJT差分放大器尾电流ISS=0.4mA，集电极负载RC=5kΩ，若晶体管β=100，VA=50V，则差模电压增益Ad≈

A.100?B.200?C.300?D.400

答案：B

解析：单管IC=ISS/2=0.2mA，gm=IC/VT≈7.7mS，ro=VA/IC=250kΩ，Ad=gm(RC∥ro)≈7.7mS×5kΩ≈200。

1.8图1.8所示RC正弦振荡器，R=12kΩ，C=6.8nF，其振荡频率fo≈

A.1.0kHz?B.1.5kHz?C.2.0kHz?D.2.5kHz

答案：C

解析：fo=1/(2πRC)=1/(2π×12kΩ×6.8nF)≈1.95kHz≈2.0kHz。

1.9某稳压管标称值VZ=6.2V，动态电阻rz=5Ω，若负载电流变化10mA，则输出电压变化量约为

A.25mV?B.50mV?C.75mV?D.100mV

答案：B

解析：ΔVO=rzΔIL=5Ω×10mA=50mV。

1.10图1.10所示理想电流镜，参考电流IREF=80μA，若M1、M2宽长比相同，沟道长度调制系数λ=0.02V?1，M2漏极电压比M1高1V，则IOUT与IREF的相对误差约为

A.1%?B.2%?C.3%?D.4%

答案：B

解析：ΔI/I=λΔV=0.02×1=2%。

2.填空题（每空3分，共30分）

2.1某放大器下限截止频率fL=20Hz，上限截止频率fH=45kHz，则其3dB带宽为______Hz，增益带宽积为______（设中频增益为60dB）。

答案：44980Hz；44.98MHz

解析：BW=fH?fL≈45kHz；GBW=增益×BW=10^(60/20)×45kHz≈44.98MHz。

2.2图2.2所示共漏放大器，gm=4mS，ro=20kΩ，RS=2kΩ，则低频电压增益Av≈______，输出电阻Rout≈______。

答案：0.89；238Ω

解析：Av=gmRS/(1+gmRS)=0.89；Rout=1/gm∥RS≈238Ω。

2.3某理想二阶有源低通滤波器，截