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2025年大学《电子信息材料-光电子材料》考试参考题库及答案解析

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一、选择题

1.光电子材料中，属于直接带隙半导体的是（）

A.GaAs

B.Si

C.Ge

D.Al2O3

答案：A

解析：直接带隙半导体中，电子的导带底和空穴的价带顶在布里渊区的同一格点，有利于光吸收和产生。GaAs是典型的直接带隙半导体，而Si和Ge是间接带隙半导体，Al2O3是绝缘体。

2.光纤通信中，常用作光纤包层材料的是（）

A.SiO2

B.GeO2

C.Si3N4

D.Al2O3

答案：A

解析：光纤的核心材料要求低损耗、高纯度，SiO2（石英）因其优异的性能被广泛用作光纤的核心材料。GeO2、Si3N4和Al2O3等常用于掺杂或作为包层材料，以调整光纤的折射率和性能。

3.激光器中，实现粒子数反转的常见方法之一是（）

A.光泵浦

B.电流注入

C.电致发光

D.化学发光

答案：A

解析：光泵浦是通过外部光源（如闪光灯或激光器）激发激光介质，使高能级粒子数多于低能级粒子数，从而实现粒子数反转。电流注入、电致发光和化学发光等其他方法在特定应用中也有使用，但光泵浦是激光器中最常用的方法之一。

4.光电探测器中，响应速度最快的材料是（）

A.PbS

B.InSb

C.HgCdTe

D.GaAs

答案：B

解析：InSb（锑化铟）具有较短的载流子寿命和较宽的禁带宽度，因此其响应速度最快，常用于高速光电探测器。PbS（硫化铅）、HgCdTe（碲化汞镉）和GaAs（砷化镓）等其他材料也有各自的应用领域，但响应速度相对较慢。

5.光存储器中，利用相变材料实现信息存储的原理是（）

A.光致变色

B.光致分解

C.相变效应

D.光致导电

答案：C

解析：光存储器中，相变材料（如TiO2-SiO2）在激光照射下其晶态和非晶态可以相互转换，从而实现信息的写入和擦除。光致变色、光致分解、光致导电等效应在光存储中也有应用，但相变效应是最核心的原理。

6.光刻胶中，用于提高分辨率的是（）

A.聚合物基质

B.稀释剂

C.显影剂

D.增感剂

答案：D

解析：光刻胶的分辨率与其对紫外线的敏感度密切相关。增感剂（如FOMA）可以提高光刻胶对紫外线的敏感度，从而提高分辨率。聚合物基质是光刻胶的主体，稀释剂用于调节粘度，显影剂用于显影过程。

7.太阳能电池中，效率最高的材料是（）

A.Si

B.GaAs

C.CIGS

D.Perovskite

答案：C

解析：CIGS（黄铜矿）太阳能电池具有极高的光吸收系数和长载流子寿命，其理论效率远高于Si（硅）、GaAs（砷化镓）和Perovskite（钙钛矿）等其他材料。尽管实际效率受限于工艺等因素，但CIGS在实验室中已实现了接近理论效率的性能。

8.显示器中，实现高对比度的是（）

A.荧光粉

B.液晶分子

C.偏光片

D.阴极射线管

答案：B

解析：液晶显示器（LCD）通过控制液晶分子的排列来调节光的通过量，从而实现高对比度。荧光粉用于发光显示，偏光片用于控制光的偏振方向，阴极射线管（CRT）是早期的显示技术，现已较少使用。

9.光伏材料中，属于多晶材料的是（）

A.单晶硅

B.多晶硅

C.非晶硅

D.碲化镉

答案：B

解析：多晶硅是由多个微小的晶粒组成的，其晶体结构不如单晶硅规整，但成本较低、制备工艺简单。非晶硅是amorphyoussilicon，没有晶体结构。碲化镉（CdTe）是化合物半导体材料，不属于硅基材料。

10.光电器件中，用于保护电路的是（）

A.二极管

B.三极管

C.电阻

D.光电二极管

答案：C

解析：电阻在电路中用于限制电流，保护电路中的其他元件免受过电流损坏。二极管和三极管是开关或放大元件，光电二极管是光电器件的核心元件。

11.在光电子材料中，衡量材料光学透明度的参数是（）

A.折射率

B.吸收系数

C.介电常数

D.电阻率

答案：B

解析：吸收系数是描述光在材料中传播时能量被吸收的快慢的物理量，它直接决定了材料的光学透明度。折射率描述光线偏折程度，介电常数是电学参数，电阻率也是电学参数。

12.光电子材料中，属于宽禁带半导体的是（）

A.GaAs

B.InP

C.SiC

D.Ge

答案：C

解析：SiC（碳化硅）具有较宽的禁带宽度，通常认为其禁带宽度大于3eV，属于宽禁带半导体。GaAs（砷化镓）、InP（磷化铟）和Ge（锗）的禁带宽度较窄，属于窄带隙半导体。

13.光纤通信中，常用作色散补偿材料的是（）

A.SiO2

B.PhosphosilicateGlass(PSG)

C.