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模拟电子技术核心知识复习资料

引言

模拟电子技术是电子信息类专业的基石，其核心在于处理连续变化的电信号。掌握模拟电子技术，不仅需要理解基本概念和原理，更要具备分析和设计实际电路的能力。本资料旨在梳理模拟电子技术的核心知识点，为复习提供一个清晰的脉络，帮助读者巩固基础，提升对模拟电路的认知与应用能力。

一、半导体器件基础

半导体器件是构成模拟电路的基本单元，理解其工作原理是分析和设计模拟电路的前提。

1.1半导体二极管

二极管由一个PN结构成，具有单向导电性。其伏安特性是分析二极管电路的关键，可近似为指数关系。在工程分析中，常采用理想模型、恒压降模型或折线模型等简化模型，以简化电路计算。

二极管的主要参数包括最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流及结电容等。这些参数决定了二极管在电路中的安全工作范围和高频特性。整流、检波、限幅、钳位是二极管的典型应用。

1.2双极型晶体管（BJT）

BJT有NPN和PNP两种类型，内部包含发射结和集电结两个PN结。其工作状态分为放大、饱和与截止三种。放大状态的条件是发射结正偏，集电结反偏，此时集电极电流受基极电流控制，体现其电流放大作用，即IC=βIB。

BJT的特性曲线，特别是输出特性曲线（IC与UCE的关系曲线），清晰地展示了其在不同工作区域的表现。输入特性则与二极管的伏安特性类似。理解并能运用特性曲线分析电路工作状态至关重要。

主要参数包括电流放大系数（β、α）、极间反向电流（ICBO、ICEO）、极限参数（ICM、U(BR)CEO、PCM）等。这些参数是选择和使用BJT的依据。

1.3场效应管（FET）

与BJT不同，FET是电压控制型器件，通过栅源电压控制漏极电流。根据结构不同，分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）。MOSFET因其输入电阻极高、制造工艺简单等优点，在集成电路中应用广泛。

MOSFET分为N沟道和P沟道，每种沟道又有增强型和耗尽型之分。其核心是通过栅源电压改变导电沟道的宽度，从而控制漏极电流。理解其转移特性（ID与UGS的关系）和输出特性（ID与UDS的关系）是分析FET电路的基础。

FET的主要参数包括跨导（gm）、夹断电压（UP或UT）、漏极饱和电流（IDSS）及极限参数等。与BJT相比，FET具有输入电阻高、噪声低、温度稳定性好等特点。

二、基本放大电路

放大电路是模拟电子技术的核心内容，其功能是将微弱的电信号不失真地放大到所需的幅度。

2.1放大电路的性能指标

衡量放大电路性能的主要指标包括：

*放大倍数（增益）：输出信号与输入信号的比值，有电压放大倍数、电流放大倍数、功率放大倍数之分。

*输入电阻（Ri）：从放大电路输入端看进去的等效电阻，其大小影响输入信号的获取。

*输出电阻（Ro）：从放大电路输出端看进去的等效电阻，其大小影响带负载能力。

*频率响应：放大电路对不同频率输入信号的放大能力，包括幅频特性和相频特性，常用通频带（BW）来描述。

*非线性失真：由于器件特性的非线性导致输出信号波形相对于输入信号的畸变，应尽可能减小。

2.2三极管放大电路的组成与分析方法

基本共射极放大电路是理解放大原理的基础。电路中，直流电源为三极管提供合适的静态工作点（Q点），以保证输入信号在整个周期内三极管均工作在放大区，避免产生非线性失真。耦合电容和旁路电容在电路中起隔直流通交流的作用。

静态分析：目的是确定放大电路的静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）。常用方法有估算法和图解法。估算法基于直流通路，利用电路方程求解；图解法则利用三极管的输出特性曲线和直流负载线确定Q点。Q点的位置对放大电路的性能和失真情况有重要影响。

动态分析：目的是求解放大电路的动态性能指标（Au、Ri、Ro）。常用方法有微变等效电路法和图解法。微变等效电路法是将三极管在小信号条件下等效为线性模型（如h参数等效模型或简化模型），从而将非线性的三极管放大电路转化为线性电路进行分析计算，是工程上常用的方法。图解法则能直观地展示信号的放大过程及失真情况。

2.3三种基本组态放大电路

三极管放大电路有共发射极、共集电极和共基极三种基本组态，各具特点：

*共发射极组态：电压和电流放大倍数均较大，输入电阻适中，输出电阻较大，适用于一般放大。

*共集电极组态（射极跟随器）：电压放大倍数近似为1，电流放大倍数较大，输入电阻高，输出电阻低，常用于阻抗变换、缓冲或驱动。

*共基极组态：电压放大倍数较大，电流放大倍数小于1，输入电阻低，输出电阻较大，高频特性好，适用于高频放大或恒流源。

场效应管放大电路也有共源、共漏、共栅三种基本组态，其性能特点与三极管的三种组态类似，分析方法也可借鉴。

2.4多级放大电路

单级放大电路的性