“全国大学生电子设计竞赛(西安电子科技大学赛区)2025年竞赛试题及答案.docxVIP

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  • 2025-11-21 发布于山西
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“全国大学生电子设计竞赛(西安电子科技大学赛区)2025年竞赛试题及答案.docx

“全国大学生电子设计竞赛(西安电子科技大学赛区)2025年竞赛试题及答案

一、单项选择题(每题2分,共20分)

1.某运放单位增益带宽1MHz,闭环增益20dB,其?3dB带宽约为

A.100kHz?B.50kHz?C.10kHz?D.1kHz

答案:A。单位增益带宽1MHz,闭环增益10倍,带宽=1MHz/10=100kHz。

2.在STM32G4系列MCU中,ADC采样保持时间t?由寄存器位SMP[2:0]控制,若ADC时钟72MHz,SMP=111,则t?为

A.2.5μs?B.4.5μs?C.8.5μs?D.16.5μs

答案:C。SMP=111对应239.5周期,239.5/72M≈3.33μs,加上最小采样窗5.17μs,合计8.5μs。

3.某Buck变换器输入12V,输出5V/2A,测得电感电流纹波0.4A,开关频率500kHz,则所需电感量约为

A.15μH?B.22μH?C.33μH?D.47μH

答案:B。ΔI=V·D·(1?D)/(L·f),D=5/12,解得L≈22μH。

4.下列关于DDR4SDRAM的表述,错误的是

A.采用8n预取架构?B.支持DBI数据总线倒置?C.激活命令与读写命令之间必须满足tRCD?D.上电后必须

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