(2026年)实施指南《GBT15877-2013半导体集成电路蚀刻型双列封装引线框架规范》(2025年)实施指南.pptxVIP

;目录;;蚀刻型双列封装引线框架的半导体封装核心作用解析;（二）GB/T15877-2013的制定背景与行业痛点解决价值;（三）专家视角：标准在半导体产业链中的定位与协同价值;;标准适用的产品类型与封装规格明确界定;;（三）特殊情况的界定与合规性处理原则;;核心原材料铜合金的选型标准与纯度要求;（二）原材料力学性能与加工性能的关键指标解析;;;蚀刻前预处理工艺的标准要求与操作要点;（二）核心蚀刻流程的参数控制与工艺优化方向;（三）蚀刻后处理及常见缺陷防治的专家解决方案;;引线键合工艺的参数匹配与键合质量要求;（二）封装成型的模具选择与工艺参数合规控制;（三）封装后切筋成型的尺寸精度与外观质量控制;;尺寸与形位公差的检测方法与精度控制要点;（二）电性能指标的检测仪器与试验流程规范;;;外观与尺寸公差对半导体器件性能的核心影响机制;行业微型化趋势下的公差精细化要求解读

随着半导体器件向微型化、高密度发展，标准将引线宽度公差从±0.03mm收紧至±0.015mm，引脚垂直度公差提升30%。该要求适配5G、物联网等领域对器件小型化的需求，推动引线框架制造从“粗放型”向“精密型”转型，契合行业技术发展方向。

生产过程中尺寸与外观精度控制的实操技巧

尺寸控制：采用高精度蚀刻设备，配备实时尺寸监测系统，每小时抽样检测5件。外观控制：优化预处理工艺，减少氧化；蚀刻后采用高压水洗去除残留，干燥温度控制在80-100℃。建立工序首件检验、巡检制度，及时调整工艺参数，确保精度稳定。;;高温高湿试验的条件设置与可靠性评价标准;;;;蚀刻液浓度波动导致的尺寸偏差问题解决方案;常见疑点：供需双方对轻微划痕是否合格存在争议。解决方案：依据标准制定外观缺陷样板，明确各缺陷等级的实物标准；争议时由第三方检测机构按样板判定；签订验收协议，约定轻微缺陷的返修范围与标准，避免纠纷，保障双方权益。;;;未来5年蚀刻型引线框架的技术发展趋势预判;;