材料化学制备.ppt

石墨插层化合物的结构（a）石墨的结构（b）钾石墨C8K的结构第29页，共56页，星期日，2025年，2月5日生成石墨插层化合物的一些典型反应及条件石墨石墨氟化物C3.6F到C4.0F石墨石墨氟化物C3.6F到C4.0F石墨+K（熔体或蒸气）C8KC8KC24KC36KC48KC60K石墨+Br2C8BrHF/F225℃HF/F2450℃部分真空第30页，共56页，星期日，2025年，2月5日TiS2插层化合物的结构示意图（a）TiS2的结构（b）LiTiS2的结构第31页，共56页，星期日，2025年，2月5日TiS2化合物的结构和LixTiS2的合成TiS2的结构层状结构相领层之间以若的vanderWaals键结合LixTiS2的合成反应xC4H9Li+TiS2LixTiS2+0.5xC8H18已烷惰性气氛第32页，共56页，星期日，2025年，2月5日电化学合成ElectrochemicalSynthesis第33页，共56页，星期日，2025年，2月5日LixTiS2的电化学合成Anode：LiLi++eCathode：TiS2+Li++eLiTiS2第34页，共56页，星期日，2025年，2月5日电化学合成过程中的一些问题最常用的方法是电解各组分的熔融混合物，生成的产物结晶析出合成一个化合物要用的熔体确切组成，要经过反复试验才能定下来涉及的电极反应常常不清楚有关离子在熔体温度下的还原电位也常常未知但是，这种方法对今后进一步的发展和应用具有相当的潜力第35页，共56页，星期日，2025年，2月5日高压合成High-pressureSynthesis第36页，共56页，星期日，2025年，2月5日高压合成的特点在合适的条件下，高温、高压能使材料转变到高密度、高原子配位数的结构如：高温、高压下石墨转变成金刚石，碳原子的配位数由3变成4，密度由2.25×103kg/m3增加3.52×103kg/m3高压也可以用来合成某些常温常压下不稳定的物质，但这些物质在常温常压下处于压稳态，能够长时间稳定存在如：SnO2粉末和PbSnO4粉末在400℃、大于7GPa的条件下合成PbSnO3第37页，共56页，星期日，2025年，2月5日金刚石的合成条件及设备反应在13GPa、3000℃的条件下进行所用设备为高压顶头第38页，共56页，星期日，2025年，2月5日化学气相沉积ChemicalVaporDeposition(CVD)第39页，共56页，星期日，2025年，2月5日CVD的本质是一种在相对低温度下的材料合成过程气相原子或分子被输运到衬底表面附近，在衬底表面发生化学反应，生成与原料化学成分截然不同的薄膜第40页，共56页，星期日，2025年，2月5日材料化学制备第1页，共56页，星期日，2025年，2月5日熔盐法的定义熔盐法：也称为助熔剂法或熔剂法。通过在常规固相反应中引入低熔点盐作为助熔剂来合成物质的一种新的合成方法。低熔点盐的引入导致合成过程中有液相出现，大大加快了离子的扩散速率，因此该法相对于常规固相法而言，具有工艺简单、合成温度低、保温时间短等特点第2页，共56页，星期日，2025年，2月5日熔盐法的原理原料在高温下溶解于低熔点的助熔剂中，使之形成饱和溶液，然后通过缓慢降温或在恒定温度下蒸发熔剂等方法，使熔融液处于过饱和状态，从而使晶体析出生长的方法助熔剂通常为无机盐类了解相图，有助于理解熔盐法第3页，共56页，星期日，2025年，2月5日熔盐法的原理同成分熔融的晶体，从相同组成的液体中析出时，唯一需要知道的是熔点在“助熔剂生长”法中，液体和结晶相具有不同的组成第4页，共56页，星期日，2025年，2月5日熔盐法的原理复杂相图中，固液异组成熔融相的结晶若制备C，需注意冷却液相的组成第5页，共56页，星期日，2025年，2月5日熔盐法的分类助熔剂法根据晶体成核及生长的方式不同分为两大类：自发成核法和籽晶生长法1、自发成核法按照获得过饱和度方法的不同助熔剂法又可分为缓冷法、反应法和蒸发法。这些方法中以缓冷法设备最为简单，使用最普遍。

????缓冷法是在高温下，在晶体材料全部熔融于助熔剂中之后，缓慢地降温冷却，使晶体从饱和熔体