电路设计4栅极电阻 (9.15).pdfVIP

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  • 2025-11-21 发布于贵州
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栅极电阻

上节课我们讲到MOSFET的几个前级电路的驱动的优缺点分析是吧。

这个图的特点是什么啊?这个电路跟之前的比较是不是省去了一个推挽上

面的N管啊,那我们继续看这个电路既然有拖尾那还可以进一步优化吗?我们

说P管之所以放电有拖尾肯本原因是什么啊?GS电容电压变小,P管IB电流减

小,Vgs在下降是共同因素,还有一个是Ib在减小Ic在减小,就是放电回路阻

抗在变化是吧,而且是在增大,我们是在放电过程中是不能改变Vgs的源是吧,

只能改变回路阻抗是吧。

那我们要想Ic通电流能力不太下降,那实际上是Ib的电流不能下降是吧,

而图中的P管的Ib的电流是由Vgs决定的是吧。

Vgs在下降那Ib必然会下降是吧?那怎么才能使得Ib不下降呢?是不是这

个Ib电流的源不能由Vgs提供啊,那只能外电源来提供了是吧?那么我们是不

是想到了N管啊?N管的Ib电流可以由前级驱动信号来提供是吧,如果前级驱动

信号为高N管的b极的电阻不变那么N管的Ib就不变是吧。

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这个图是不是有点像推挽啊?那么推挽是上

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