半导体二极管原理及应用电路概述.pdfVIP

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第3章半导体二极管

及其基本应用电路

1.基础知识

2.二极管及其基本应用电路

3.稳压二极管及其基本应用电路

3.1的基础知识

1.本征与杂质

2.PN结

3.1基础知识

物质的导电特性取决于原子结构,最外层电子

受原子核的力的大小来判断该物质的导电性。

物质按导电性能的分类:

导体:低价元素,如铜、铁、铝等金属,最外层电

子受原子核的力很小,极易形成自由电子。在

外电场作用下,这些电子产生定向(称为漂移

)形成电流,具有较好的导电特性。

绝缘体:高价元素(如惰性气体)和高分子物质(如

橡胶,塑料)最外层电子受原子核的力很强,

不易形成自由电子,导电性极差。

:导电特性介于导体和绝缘体之间。

的电阻率为10-3~109cm。典型的有硅

Si和锗Ge以及砷化镓GaAs等。

3.1.1本征与杂质

1、本征

(1)本征的共价键结构

(2)电子空穴对

(3)穴的移动

纯净晶体结构的称为本征。

材料:硅和锗(均为四价元素,在原子结构中

最外层轨道上有四个价电子。)

(1)本征的共价键结构

把硅或锗材料拉制成单晶体时,相邻两个原子的一对最外层电

子(价电子)成为共有电子,它们一方面围绕自身的原子核,

另一方面又出现在相邻原子所属的轨道上。即价电子不仅受

到自身原子核的作用,同时还受到相邻原子核的吸引。于是,两

个相邻的原子共有一对价电子,组成共价键结构。

故晶体中,每个原子都和周围的4个原子用共价键的形式互

相紧密地联系起来,这种结构的立体和平面示意图见图3.1。

(c

(a)硅晶体的空间排列(b)共价键结构平面示意图

图3.1硅原子空间排列及共价键结构平面示意图

(2)电子空穴对

当导体处于热力学温度0K时,导体中没

有自由电子。当温度升高或受到光的照射

时,价电子能量增高,有的价电子可以挣

脱原子核的,而参与导电,成为自由

电子。

这一现象称为本征激发,也称热激发。

自由电子产生的同时,在其原来的共价

键中就出现了一个空位,原子的电中性被破

坏,呈现出正电性,其正电量与电子的负电

量相等,人们常称呈现正电性的这个空位为

空穴。

图3.2本征激发和复合的过程

可见因热激发而出现的自由电子和空穴是

同时成对出现的,称为电子空穴对。游离的部

分自由电子也可能回到空穴中去,称为复合,

如图3.2所示。本征激发和复合在一定温度下

会达到动态平衡。

(3)空穴的移动

自由电子的定向运

动形成了电子电流,空

穴的定向也可形成

空穴电流,它们的方向

相反。只不过空穴的运

动是靠相邻共价键中的

价电子依次充填空穴来

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