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2025年大学《微电子科学与工程-模拟集成电路设计》考试参考题库及答案解析
单位所属部门:________姓名:________考场号:________考生号:________
一、选择题
1.模拟集成电路设计中,通常使用哪种类型的晶体管作为有源负载以获得高输出阻抗?()
A.N沟道MOSFET
B.P沟道MOSFET
C.双极结型晶体管
D.JFET
答案:B
解析:在模拟集成电路设计中,为了获得高输出阻抗,通常使用P沟道MOSFET作为有源负载。这是因为P沟道MOSFET的输出特性在漏极电流较小时具有较高的输出阻抗,适合用于放大电路的负载部分。
2.在设计差分放大电路时,为了减小共模噪声,应该采取哪种措施?()
A.增加输入电阻
B.减小电源电压
C.使用对称的晶体管
D.增加反馈电阻
答案:C
解析:差分放大电路的核心优势在于能够抑制共模信号。为了减小共模噪声,关键在于确保差分对管的高度对称性。如果晶体管参数完全一致,差分放大电路可以有效地消除共模信号,从而提高共模抑制比。
3.在CMOS反相器中,为了保证电路的稳定性,通常需要满足哪种条件?()
A.VDD大于VSS
B.输入电压大于阈值电压
C.输出电压小于电源电压
D.晶体管尺寸匹配
答案:A
解析:CMOS反相器的基本工作原理是利用PMOS和NMOS晶体管的互补特性。为了保证电路的稳定性,必须确保电源电压VDD大于地电压VSS。这是CMOS电路正常工作的基本条件,否则电路无法正常开关。
4.在设计低噪声放大器时,为了减小噪声系数,应该采取哪种措施?()
A.增加晶体管尺寸
B.提高电源电压
C.使用共源共栅结构
D.减小输入匹配电阻
答案:A
解析:在低噪声放大器设计中,晶体管尺寸的增大会显著降低噪声系数。这是因为晶体管的噪声主要来源于其热噪声和散粒噪声,晶体管尺寸越大,单位电流的噪声越小。因此,选择较大的晶体管尺寸可以有效降低噪声系数。
5.在设计运算放大器时,为了提高开环增益,应该采取哪种措施?()
A.增加反馈网络
B.减小输入偏置电流
C.使用多级放大电路
D.增加输入电阻
答案:C
解析:运算放大器的开环增益主要由其内部多级放大电路决定。增加放大级数可以显著提高开环增益。第一级通常提供较低的增益,后续级数则逐级提高增益,最终实现很高的开环增益。
6.在设计带隙基准电压源时,为了减小温度漂移,应该采取哪种措施?()
A.使用电流镜
B.使用热敏电阻
C.使用差分对管
D.使用带隙基准电路结构
答案:D
解析:带隙基准电压源通过利用两个不同参考温度下电压差与基准电压的固定比例关系,从而实现温度补偿,减小温度漂移。这种电路结构能够有效地抵消温度变化对基准电压的影响,因此选择带隙基准电路结构是最佳方案。
7.在设计模拟电路时,为了提高电源抑制比,应该采取哪种措施?()
A.增加输入电容
B.使用差分输入结构
C.减小电源阻抗
D.增加反馈深度
答案:B
解析:电源抑制比(PSRR)是指电路输出对电源噪声的抑制能力。差分输入结构能够有效地抑制共模电源噪声,因为差分放大器对两个输入端的相同噪声具有抑制作用。因此,使用差分输入结构是提高电源抑制比的有效方法。
8.在设计跨导放大器时,为了提高跨导,应该采取哪种措施?()
A.增加晶体管尺寸
B.减小栅极电压
C.使用共栅结构
D.增加负载电阻
答案:A
解析:跨导放大器的主要指标是跨导,即输入电压变化引起的输出电流变化量。跨导与晶体管的尺寸成正比,晶体管尺寸越大,跨导越高。因此,增加晶体管尺寸可以有效提高跨导。
9.在设计电流镜电路时,为了提高精度,应该采取哪种措施?()
A.增加晶体管尺寸
B.减小晶体管间距
C.使用cascode结构
D.增加偏置电流
答案:C
解析:电流镜电路的精度主要取决于晶体管之间的匹配程度。Cascode结构通过引入共源共栅级,可以显著提高晶体管之间的共模抑制比和输出阻抗,从而提高电流镜的精度和稳定性。因此,使用cascode结构是提高电流镜精度的有效方法。
10.在设计模拟电路时,为了提高速度,应该采取哪种措施?()
A.增加晶体管尺寸
B.减小晶体管间距
C.使用更快的晶体管工艺
D.增加电源电压
答案:C
解析:模拟电路的速度主要受限于晶体管的开关速度。使用更快的晶体管工艺可以显著提高晶体管的迁移率和截止频率,从而提高电路的运行速度。晶体管工艺的进步是实现高速模拟电路的关键。
11.在模拟集成电路中,为了提高CMOS反相器的噪声容限,应该()
A.降低电源电压
B.提高阈值电压
C.增加晶体管尺寸
D.减小负载电容
答案:B
解析:噪声容限是指电路能可靠识别信号的最大噪声
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