二极管的有源区.pptVIP

定义版图;栅极负责施加控制电压;;;MOS管中电流由源极流向漏极。

沟道中电流流过

的距离为沟道长度；

截面尺寸为沟道

宽度。;;3、图形绘制;英特尔65纳米双核处理器的扫描电镜(SEM)截面图;版图图层名称;注意：;MOS器件版图图层

——PMOS;MOS器件版图图层

——NMOS;结构图;有源区（ACTIVE）;;4、版图设计规则;(2)最小间距

例如，金属、多晶、有源区或阱都必须保持最小间距。;(3)最小包围

例如，N阱、N+离子注入和P+离子注入包围有源区应该有足够的余量;多晶硅、有源区和金属对接触孔四周要保持一定的覆盖。;(4)最小延伸

例如，多晶栅极须延伸到有源区外一定长度。;5、阱与衬底连接;衬底材料导电性较差，为了保证接触的效果，需要在接触区域制作一个同有源区类似的掺杂区域降低接触电阻，形成接触区。

衬底半导体材料要与电极接触，同样需要引线孔（CC）；;P管衬底为N阱（N型材料），接电源；衬底连接版图由NSELETC、ACTIVE、CC、METAL1组成;N管衬底为基片（P型材料），接地；衬底连接版图由PSELETC、ACTIVE、CC、METAL1组成;完整的MOS管版版图必须包含两个部分：

a）由源、栅和漏组成的器件；

b）衬底连接。

源区、沟道区和漏区合称为MOS管的有源区(Active），有源区之外的区域定义为场区（Fox)。有源区和场区之和就是整个芯片表面即基片衬底（SUB）。;衬底连接布局;2021/10/10;6、大尺寸器件的设计;大尺寸器件普遍应用于：

缓冲器（buffer）、

运放对管、

系统输出级。;;缓冲器中的一级反相器;运放对管;大尺寸器件存在的问题：

寄生电容；

栅极串联电阻;;MOS管寄生电容值;G;设计方法

（1）分段──

大尺寸MOS管分段成若干小尺寸MOS管。;（2）源漏共用──

合并源/漏区，将4个小MOS管并联;(b)左起第二个和第四个MOS管的、和漏互换;(c)将相邻S、D重叠;并联后MOS管宽长比与原大尺寸管宽长比相同；

并联小MOS管个数为N，并联管的宽长比等于原大尺寸管宽长比的1/N；

栅极串联电阻为原大尺寸管寄生电容的1/N

;源漏共用只能在两个同类型MOS管中连接相同节点的端口之间实现；

源漏共用可以在两个有相同节点的同类型MOS管（如与非门的??个P管）之间实现;7、器件连接;G;为节省面积，可以适当考虑减少引线孔，使金属线跨越器件；并尽量将器件设置成矩形;8、MOS管阵列的版图实现

(1)MOS管的串联。

N1的源、漏区为X和Y，N0的源、漏区为Y和Z。利用源漏共用，得到两个MOS管串联连接的版图。

;任意个MOS管串联。

例如3个MOS管串联的版图。;（2）MOS管并联(并联是指它们的源和源连接，漏和漏连接，各自的栅还是独立的。);栅极竖直方向排列;三个或三个以上MOS管并联。

类似大尺寸MOS管的拆分连接;（3）MOS管的复联

复联是同时存在MOS管串联和并联的情况。;棒状图设计：

为了方便地从电路中得到最有效的源漏共用版图，可以使用“棒状图设计”，在绘制版图之前先制作结构草图。

可以很好的解决器件布局问题;“混合棒状图”法：

矩形代表有源区(宽度不限)；

实线代表金属；

虚线代表多晶硅；

“×”代表引线孔。其它层次不画,

通常靠近电源vdd的是P管，靠近地线gnd的是N管。;反相器棒状图;电路图-棒状图-版图;a;2021/10/10;2021/10/10;谢谢大家！