特性阻抗计算方式.xlsVIP

屏蔽衰減計算

对绞电气特性计算公式

同轴线设计

Foam-skin

AWG

D

K

KII

KK

因子

輸入值

結果值

單位

\

mm

PE

FPE

PVC

HYTREL

Coaxial

FOAMOD

CTP

STP

UTP

W=

名稱

結果

εZ介電常數

εF介電常數

DZ芯線外徑

DF芯線外徑

SKIN厚

內FOAM電容

d銅材OD

SKIN電容

f絞合係數

內Foam發泡度

總靜電容量

pF/M

總的發泡度

Z阻抗

Ω/M

L電感

UH/m

銅條數:

截面積

VP傳播速度

%

單銅OD

td延遲時間

ns/m

絞合外徑

Fco截止頻率

GHz

ShieldO.D.

PowerDielectric

ε0=

LOSS

USB

量測=(CTP+STP)/2-9.07

4C+AEB

DifferentialIMP

量測=STP+4.1

參照STP，Loss值帶1.25

MAX

MIN

1.ULTRATHINUSB28#MAX參考極小值；MIN參考STP

對線設計Differentrial=CTP

11/0.1BA*1PR+30/0.1BA*2C+AB

SignalEnd=STP

ε(介值常數)

PP

FEP

FEP

CMP(鐵氟龍外被料)

TPE

TPR

TPO

XLPE

K=絞合係數

電線設計

组合介电常数

CoaxialCable

绞合外径

C=24.16*ε/log(D/fd)

d：導體絞合OD

mm

D：芯線OD

Z=138*log(D/fd)/√ε

f：導體絞合係數

--

ε：介電常數

L=0.459*log(D/fd)

C：電容值

PF/M

30AWGHDMI阻抗

Z：特性阻抗

Ohm

Vp=1/√ε

v：發泡度

%

L：電感

uH/M

Td=3.333*√ε

Vp：傳播速度

Td：延遲時間

ns/M

fcd=24.606/√ε*(D+fd)

fcd：截止頻率

GHz

ε0：原介電常數

附表(一)

對絞線傳輸電氣特性計算式

CableTwsitedpair

日期:

2004.03.08

版本:

A1

銅線導體

條數

導體線徑

導體係數

參考附表(一)

導體OD

截面積

芯線徑

介電常數

(發泡後之介電常數)

發泡百分比

(Impedance)

Capacitance(Mutual)

特性阻抗Z0(Unshielded)=

ohms/Ft

電容量(Unshielded)C=

pF/Ft

pF/M

個別隔離

特性阻抗Z0(Shielded)=

電容量(Shielded)C=

集合總隔離

特性阻抗Z0(Overall)=

電容量(overallshieldedcable)C=

發泡度計算式

Ep=

等效介電常數(約為未發泡前之介電常數)

內導體絞線的有效直徑係數

E=

發泡後之介電常數

銅導線根數

有效直徑係數(k)

P=

發泡度

波長縮短率

輸入介電常數

VP=

%

TimeDelay

TD=

ns/Ft

ns/m

假設

介電係數:

PS..於圖面黃色方框輸入相關數值即可求得所需數值

條數

導體線徑

截面積

NOMCROSS

AWG

Bareor

TinnedCu.

BreakStrength

AWG

Diameter

SilverPl.Cu.

OHMS/KM

(Lbs.)Max

..0201

1/0

2/0

3/0

4/0

絞合外徑

絞距

阻抗Ω/KM@20℃

DCR@20℃

Cross-section(mm2)

截面積

對線屏蔽衰減計算

輸入頻率

(MHz)

衰減量

db/m

衰減量

db/10m

名稱

結果

εZ介電常數

εF介電常數

DZ芯線外徑

DF芯線外徑

SKIN厚

內FOAM電容

d銅材OD

SKIN電容

f絞合係數

內Foam發泡度

導體中心距

總的發泡度

屏蔽內徑

銅條數:

鋁箔屏蔽系數

單銅OD

編織屏蔽系數

總靜電容量

pF/M

Z阻抗

Ω/M

L電感

UH/m

VP傳播速度

td延遲時間

ns/m

Fco截止頻率

GHz

ShieldO.D.

介質損耗正切

ε0=

LOSS

14.00

.07

.30

1.16

.05

2.00

4.00

0.0000

0.0539

30.0