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半导体设备原理与维护考试题及答案

一、单选题（每题2分，共20题）

1.在半导体设备中，以下哪项是晶圆传送系统的核心部件？

A.步进马达

B.传送带

C.静电吸盘

D.控制器

2.干法刻蚀过程中，等离子体主要起到什么作用？

A.材料沉积

B.材料去除

C.掩膜曝光

D.清洗表面

3.半导体设备中，真空泵的主要目的是什么？

A.提供反应气体

B.排除空气提高精度

C.加热晶圆

D.冷却设备

4.在薄膜沉积设备中，PVD和CVD的主要区别是什么？

A.PVD沉积速率更快

B.CVD需要真空环境

C.PVD适用于大面积沉积

D.CVD设备成本更高

5.光刻设备中，紫外光源的主要波长范围是多少？

D.248nm~365nm

A.365nm~436nm

B.190nm~250nm

C.100nm~180nm

6.半导体设备中，机械臂的主要功能是什么？

A.控制真空度

B.传送晶圆

C.调节反应温度

D.生成等离子体

7.在湿法清洗过程中，HF（氢氟酸）主要用于什么？

A.去除金属离子

B.去除有机污染物

C.刻蚀硅表面

D.清洗石英管

8.半导体设备中，PID控制器的主要作用是什么？

A.数据采集

B.温度调节

C.机械驱动

D.信号放大

9.在薄膜沉积过程中，原子层沉积（ALD）的主要优势是什么？

A.沉积速率快

B.沉积均匀性高

C.设备成本低

D.可在高温环境下操作

10.半导体设备中，真空腔体的泄漏检测常用什么方法？

A.氮气检漏

B.氦质谱检漏

C.氧气检漏

D.氢气检漏

二、多选题（每题3分，共10题）

1.半导体设备中，常见的故障类型包括哪些？

A.电气故障

B.机械故障

C.真空泄漏

D.控制系统故障

E.反应气体污染

2.光刻工艺中，影响分辨率的主要因素有哪些？

A.光源波长

B.掩膜质量

C.系统稳定性

D.晶圆表面粗糙度

E.环境振动

3.干法刻蚀设备中，常用的等离子体发生方式有哪些？

A.磁控溅射

B.电感耦合等离子体（ICP）

C.直接等离子体

D.射频等离子体

E.脉冲等离子体

4.半导体设备中，机械臂常见的故障有哪些？

A.传动轴卡顿

B.传感器失灵

C.真空吸附失效

D.控制信号丢失

E.机械磨损

5.薄膜沉积设备中，影响薄膜均匀性的因素有哪些？

A.晶圆旋转速度

B.沉积气体流量

C.腔体温度分布

D.基板位置

E.反应气体纯度

6.半导体设备中，常见的清洗液有哪些？

A.SC-1（氨水-硝酸-水）

B.SC-2（H2SO4-H2O2-水）

C.DHF（氢氟酸）

D.IPA（异丙醇）

E.H2O（去离子水）

7.在薄膜沉积过程中，ALD和CVD的主要区别有哪些？

A.沉积速率

B.温度要求

C.沉积均匀性

D.控制精度

E.反应物类型

8.半导体设备中，真空系统的常见问题有哪些？

A.泄漏

B.压力不稳定

C.真空泵过热

D.真空腔体污染

E.控制器故障

9.光刻设备中，掩膜版的主要作用是什么？

A.定义图案

B.保护晶圆

C.传输光线

D.调节焦点

E.控制曝光剂量

10.半导体设备中，设备维护的常用方法有哪些？

A.定期校准

B.清洁维护

C.性能测试

D.故障诊断

E.更换易损件

三、判断题（每题1分，共20题）

1.步进马达在半导体设备中主要用于精确控制晶圆传送位置。（正确）

2.干法刻蚀比湿法刻蚀的精度更高。（正确）

3.真空泵的主要作用是提供反应气体。（错误，主要作用是排除空气）

4.光刻设备的分辨率越高，成本越低。（错误，高分辨率设备成本更高）

5.ALD（原子层沉积）的沉积速率比CVD快。（错误，ALD速率较慢但均匀性高）

6.氢氟酸（HF）主要用于去除金属污染物。（错误，主要用于刻蚀硅）

7.PID控制器在半导体设备中常用于温度调节。（正确）

8.真空腔体的泄漏检测常用氦质谱仪。（正确）

9.机械臂的故障通常会导致晶圆传送失败。（正确）

10.薄膜沉积设备的均匀性主要受腔体温度分布影响。（正确）

11.SC-1清洗液主要用于去除金属污染物。（正确）

12.光刻设备的掩膜版主要采用石英材料制造。（正确）

13.ALD沉积过程需要高真空环境。（正确）

14.干法刻蚀的等离子体主要去除材料表面。（正确）

15.真空泵的过热通常会导致设备故障。（正确）

16.机械臂的传感器故障会导致定位不准确。（正确）

17.薄膜沉积设备的沉积速率主要受反应气体流量影响。（正确）

18.光刻设备的分辨率与光源波