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超高真空多功能磁控溅射设备的使用

一、引言

薄膜的制备方法有许多种，主要包括：物理气相沉积(PVD、化学气相沉积(CVD

和电化学沉积。物理气相沉积中只发生物理过程，化学气相沉积中包含了化学反应过

程。常见的物理气相沉积方法是真空蒸发，分子束外延(MBE是一种超高真空中进行的

缓慢的真空蒸发过程，它能够用来生长外延的单晶薄膜。另一种常见的物理气相沉积方

法是溅射，溅射法制膜具有溅射速度快，在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制，

沉积层对衬底的附着力较好，能够大面积成膜等。

近几十年来,磁控溅射技术已经成为最重要的沉积镀膜方法之一。广泛应用于工业

生产和科学研究领域。如在现代机械加工工业中，利用磁控溅射技术在工件表面镀制功

能膜、超硬膜、自润滑薄膜。在光学领域，利用磁控溅射技术制备增透膜、低辐射膜

和透明导膜，隔热膜等。在微电子领域和光、磁记录领域磁控溅射技术也发挥着重要作

用。例如在微电子领域制备Cu互联薄膜等。

二、实验目的

1.了解超高真空多功能磁控溅射系统。主要包括：宜流和射频溅射、电源控制系统、

进样室和生长室、抽气系统的基本工作原理。

2.掌握衬底的清洗、装卸、样品在进样室和生长室间的传递、靶的安装要点等。

三、实验原理

1溅刖

众所周知，溅射现象源于阴极表面的气体辉光放电。在真空系统中，靶材是需要溅

射的材料，它作为阴极，相对于作为阳极的衬底加有数千伏的电压。在对系统预抽真空

以后，通进少量惰性气体(如氧气，压力一般处于lO^lOPa的范围内。在正负电极

高压的作用下，极间的气体原子将被大量电离。电离过程使Ar原子电离为Ar离子和能

够对立运动的电子，其中电子飞向阳极，而带正电荷的Ar离子则在高压电场的加速作

用下飞向作为阴极的靶材，并在与靶材的撞击过程中释放出其能量。离子速撞击的结

果就是大量的靶材原子获得了相当的能量，使其能够脱离靶材的束缚而飞向衬底，

在衬底上成膜。当然，在上述这种溅射过程中，还可能伴随有其它粒子，如二次电子、

离子、光子等从阴极发射。

溅射法受到大力发展和重视的一个重要原因在于这种方法易于保证所制备薄膜的化

学成分与靶材基本一致，而这一点对于蒸发法很难做到。

溅射法使用的靶材能够根据材质分为纯金属、合金及各种化合物。金属与合金的靶

材能够用冶炼或粉末冶金的方法制备，其纯度及致密性较好；化合物靶材多采用粉末

热压的方法制备，其纯度及致密性往往要稍逊于前者。

主要的溅射方法能够根据其特征分为以下四种：11）直流溅射；（2）射频溅射；（3）

磁控溅射；（4）反应溅射。

2直流溅射法

直流溅射又称阴极溅射或二极溅射。在直流溅射过程中，常见氧气Ar作为工作气

压。工作气压是一个重要的参数，它对溅射速率以及薄膜的质量都具有很大的影响。

当经过加速的入射离子轰击靶材（阴极）表面时，会引起电子发射，在阴极表面

产生的这些电子，开始向阳极加速后进入负辉光区，并与中性的Ar原子碰撞，产生自

持的辉光放电所需的Ar.离子。在相对较低的气压条件下，Ar原子的电离过程多发生在

距离靶材很远的地方，因而Ar离子运动至靶材处的几率较小。同时，低气压下电子的

自由程较长，电子在阳极上消失的几率较大，而Ar’离子在阳极上溅射的同时发射出二

次电子的几率又由于气压较低而相对较小。因此，在低工作气压下Ar原子的离化效率

很低，溅射速率和效率很低。

随着氧气工作气压的增加，电子平均自由程减小，原子电离几率增加，溅射电流

增加，溅射速率提。但当气压过时，溅射出来的靶材原子在飞向衬底的过程中将会

受到过多的散射，因而其沉积到衬底上的儿率反而下降。因此随着气压的变化，溅射沉

积的速率会出现一个极值，一般来讲，沉积速度与溅射功率成正比，与靶材和衬底之间

的间距成反比。

溅射气压较低时，入射到衬底表面的靶材原子没有经过多次碰撞，能量较，这

有利于提沉积时原子的扩散能力，提沉积组织的致密程度。溅射气压的提使得入

射的原子能量降低，不利于薄膜组织的致密化。

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