第5章存储系统.pptVIP

5.3只读存储器（ROM）掩模ROM一次性可写ROM可读写ROM分类EPROM（紫外线擦除）EEPROM（电擦除）*第61页，共95页，星期日，2025年，2月5日一、EPROM特点：可多次编程写入；掉电后内容不丢失；内容的擦除需用紫外线擦除器。典型的EPROM芯片有：2716(2K×8)、2732(4K×8)、2764(8K×8)、27128(16K×8)、27256(32K×8)、27512(64K×8)等*第62页，共95页，星期日，2025年，2月5日EPROM2764芯片引脚及内部结构*第63页，共95页，星期日，2025年，2月5日EPROM2764的主要引脚8K×8bit芯片，其引脚与SRAM6264完全兼容主要引脚:地址信号：A0~A12数据信号：D0~D7输出信号：OE片选信号：CE编程脉冲输入：PGM编程电压:VPP*第64页，共95页，星期日，2025年，2月5日2764的工作方式数据读出--在正常工作电路中编程写入--在专门的写入器中擦除--在专门的擦除器中标准编程方式快速编程方式其中编程写入的特点:每出现一个编程负脉冲PGM就写入一个字节数据工作方式*第65页，共95页，星期日，2025年，2月5日方式A9A0VPPVCC数据端功能读低低高××VCC5V数据输出输出禁止低高高××VCC5V高阻备用高××××VCC5V高阻编程低高低××12.5VVCC数据输入校验低低高××12.5VVCC数据输出编程禁止高××××12.5VVCC高阻标识符?低?低?高?高低高VCCVCC5V5V制造商编码器件编码引脚2764A的工作方式选择表*第66页，共95页，星期日，2025年，2月5日2764A编程波形太宽使编程时间长,且芯片功耗大TMS27C040仅100?s*第67页，共95页，星期日，2025年，2月5日4．片选信号（片外）及片内地址产生机制由于M芯片的容量是有限的，微机中M的总容量一般远大于M芯片的容量，因此，M往往由多片M芯片组成，在CPU与M芯片之间必须设有片选择译码电路，一般由CPU的高位地址译码产生片选，而低位地址送给存储器芯片的地址输入端，以提供存储芯片内部的行、列地址。5．DRAM控制器（DRAM与CPU连接专用）它是CPU和DRAM芯片之间的接口电路，目前已生产出不同型号的集成芯片（带刷新电路）。它将CPU的信号变换成适合DRAM芯片的信号，不同的计算机系统有不同的DRAM控制器。后面再讨论DRAM。*第29页，共95页，星期日，2025年，2月5日译码电路作用:将输入的一组二进制编码变换为一个特定的控制信号，即：将输入的一组高位地址信号通过变换，产生一个有效的控制信号，用于选中某一个存储器芯片，从而确定该存储器芯片在内存中的地址范围。组成:它可用普通的逻辑芯片或专门的译码器实现。存储器地址译码方法:根据存储器的片选信号译码（1）线选法:从高位选择几条地址线（2）全译码法:高位全部参加译码（3）部分译码:高位地址线部分参加译码*第30页，共95页，星期日，2025年，2月5日（1）全译码法片内寻址未用的全部高位地址线都参加译码，译码输出作为片选信号。全译码的优点是每个芯片的地址范围是唯一确定，而且各片之间是连续的。缺点是译码电路比较复杂。（2）部分译码用片内寻址外的高位地址的一部分译码产生片选信号。部分译码优点是较全