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2025年模拟电路考试题及答案

一、选择题（每题3分，共30分）

1.某硅二极管在室温（300K）下正向导通时，若通过电流为1mA，当电流增大至10mA时，其正向压降最接近（）

A.0.55VB.0.60VC.0.67VD.0.75V

2.某NPN型BJT的共射直流电流放大系数β=100，穿透电流ICEO=1μA，若基极电流IB=20μA，则集电极电流IC约为（）

A.2.01mAB.2.00mAC.1.99mAD.1.80mA

3.增强型PMOS管工作在饱和区的条件是（）

A.VGS≤VT（VT为负）且VDS≥VGS-VT

B.VGS≥VT（VT为负）且VDS≤VGS-VT

C.VGS≤VT（VT为正）且VDS≥VGS-VT

D.VGS≥VT（VT为正）且VDS≤VGS-VT

4.共源放大电路中，若仅增大漏极电阻RD，其他参数不变，则（）

A.电压增益增大，输出电阻增大

B.电压增益增大，输出电阻减小

C.电压增益减小，输出电阻增大

D.电压增益减小，输出电阻减小

5.差分放大电路中，若两个输入信号分别为vi1=5mV+2mV·sinωt，vi2=5mV-2mV·sinωt，则差模输入信号为（）

A.4mV·sinωtB.2mV·sinωtC.10mVD.5mV

6.某放大电路的幅频特性波特图中，中频增益为40dB，上限截止频率fH=100kHz，当输入信号频率为1MHz时，增益约为（）

A.20dBB.0dBC.-20dBD.40dB

7.引入电压并联负反馈后，放大电路的（）

A.输入电阻增大，输出电阻增大

B.输入电阻减小，输出电阻减小

C.输入电阻增大，输出电阻减小

D.输入电阻减小，输出电阻增大

8.集成运放内部的中间级通常采用（）

A.共射放大电路B.差分放大电路C.互补输出级D.电流源电路

9.串联型稳压电源中，调整管必须工作在（）

A.截止区B.饱和区C.放大区D.击穿区

10.某RC桥式正弦波振荡电路中，若反馈网络的电阻R=10kΩ，电容C=0.1μF，则振荡频率约为（）

A.159HzB.318HzC.637HzD.1.59kHz

二、填空题（每空2分，共20分）

1.半导体PN结的内建电场方向由____区指向____区。

2.BJT的共基极电流放大系数α与共射极电流放大系数β的关系为α=____。

3.场效应管的跨导gm定义为____（表达式），单位为____。

4.共集放大电路的主要特点是电压增益近似为1、输入电阻____、输出电阻____。

5.放大电路的频率失真属于____失真，而饱和失真属于____失真。

6.负反馈放大电路产生自激振荡的条件是环路增益AF满足____（幅值条件）和____（相位条件）。

三、分析题（每题15分，共60分）

1.图1所示为分压式偏置共射放大电路，已知VCC=12V，RB1=30kΩ，RB2=10kΩ，RE=2kΩ，RC=3kΩ，RL=3kΩ，BJT的β=50，rbb=200Ω，UBE=0.7V，电容C1、C2、CE足够大。

（1）计算静态工作点Q（IBQ、ICQ、UCEQ）；

（2）画出小信号等效电路，计算电压增益Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro。

2.图2所示为双端输入-单端输出差分放大电路，已知VCC=VEE=12V，RC=10kΩ，RE=10kΩ，BJT的β=100，rbe=2kΩ，UBE=0.7V，忽略基极电流对偏置的影响。

（1）计算差模电压增益Ad；

（2）计算共模电压增益Ac；

（3）若输入信号vi1=10mV，vi2=5mV，求输出电压vo（设共模抑制比CMRR足够大）。

3.图3所示为带有源负载的共射放大电路，其中T1为放大管，T2、T3构成镜像电流源（T2与T3参数对称），VCC=10V，Rref=5kΩ，β=100，UBE=0.7V。

（1）求镜像电流源的参考电流Iref和输出电流IC3；

（2）说明有源负载相比传统电阻负载的优势。

4.图4所示为某负反馈放大电路的开环幅频特性波特图，其中fL=10Hz，fH1=100kHz，fH2=1MHz，fH3=10MHz，中频增益|A|=10^4（80dB）。

（1）写出开环增益A(jf)的表达式；

（2）判断当反馈系数F=0.01时，电路是否稳定；

（3）若要使电路稳定，最大反馈系