质子累积辐照效应对CMOS图像传感器饱和输出的影响.pdfVIP

物理学报

Acta

Phys.

Sin.Vol.74,No.2(2025)024203

质子累积辐照效应对CMOS图像传感器

饱和输出的影响*

彭治钢

白豪杰

刘方

李洋

何欢

李培

贺朝会

李永宏†

(西安交通大学核科学与技术学院,

西安710049)

(2024

年9

月26日收到;

2024

年12

月5日收到修改稿)

本文通过辐照实验和TCAD仿真,

研究了质子累积辐照导致四晶体管钳位光电二极管(4T

PPD)CMOS

12–2

图像传感器的饱和输出变化机理.

实验采用的质子能量为12

MeV和60

MeV,

最高质子注量为2×10

cm.

实验结果表明:

12

MeV和60

MeV质子最高注量辐照后分别导致转换增益增大8.2%和7.3%,

满阱容量分别

减小7.3%和3.8%.

饱和输出在12

MeV质子辐照下变化趋势不显著,

在60

MeV质子辐照下增大3%.

在TCAD

仿真中,

建立了单个三维4T

PPD像元模型,

开展了质子累积辐照效应仿真来分析损伤机理.

仿真结果表明

像元饱和输出的变化由满阱容量、复位晶体管的物理特性和浮置扩散区的电容决定,

但它们具有不同的影

响.

具体而言,

满阱容量的降低导致饱和输出减小,

而复位晶体管的辐照效应导致饱和输出增大.

辐照导致浮

置扩散区的电容减小,

从而使转换增益增大,

进而饱和输出增大.

上述工作较为全面地揭示和分析了辐照后

饱和输出的变化机理,

研究成果对CMOS图像传感器的辐射损伤分析具有一定的指导意义.

关键词：CMOS图像传感器,

总剂量效应,

饱和输出,

满阱容量,

转换增益

PACS：42.88.+h,

85.60.Dw,

61.72.J–DOI:10.7498/aps.74

CSTR：32037.14.aps.74

[5]

总剂量效应会导致CIS中的暗信号增大,

以及满

[6]

1

引言阱容量(full

well

capacity,

FWC)和电荷转移效

[7]

率的退化.

位移损伤效应同样会影响CIS的特