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2025年CMOS集成电路期末考试及答案
一、单项选择题（每题2分，共10题）
1.在CMOS电路中，PMOS晶体管的阈值电压通常为：
A.正值
B.负值
C.零
D.以上都不是
答案：A
2.CMOS反相器的静态功耗主要来源于：
A.开关功耗
B.静态功耗
C.短路功耗
D.以上都不是
答案：B
3.在CMOS电路中，提高电源电压可以：
A.降低功耗
B.提高速度
C.降低速度
D.以上都不是
答案：B
4.CMOS电路的噪声容限是指：
A.输入信号的最大变化范围
B.输出信号的最大变化范围
C.输入信号的最小变化范围
D.以上都不是
答案：A
5.在CMOS电路中，逻辑门延迟主要取决于：
A.晶体管尺寸
B.电源电压
C.电路拓扑结构
D.以上都是
答案：D
6.CMOS电路的功耗主要分为：
A.静态功耗和动态功耗
B.开关功耗和短路功耗
C.静态功耗和短路功耗
D.以上都不是
答案：A
7.在CMOS电路中，提高晶体管尺寸可以：
A.提高速度
B.降低功耗
C.提高功耗
D.以上都不是
答案：B
8.CMOS电路的输入级通常采用：
A.PMOS晶体管
B.NMOS晶体管
C.CMOS晶体管
D.以上都不是
答案：C
9.在CMOS电路中，电源电压降低会：
A.提高功耗
B.降低功耗
C.提高速度
D.降低速度
答案：D
10.CMOS电路的输出级通常采用：
A.PMOS晶体管
B.NMOS晶体管
C.CMOS晶体管
D.以上都不是
答案：C
二、多项选择题（每题2分，共10题）
1.CMOS电路的优点包括：
A.低功耗
B.高速度
C.高集成度
D.以上都是
答案：D
2.CMOS电路的功耗主要来源于：
A.动态功耗
B.静态功耗
C.开关功耗
D.短路功耗
答案：A,C,D
3.在CMOS电路中，提高电源电压可以：
A.提高速度
B.降低功耗
C.提高功耗
D.以上都不是
答案：A,C
4.CMOS电路的噪声容限包括：
A.高电平噪声容限
B.低电平噪声容限
C.高电平输入电压
D.低电平输入电压
答案：A,B
5.在CMOS电路中，逻辑门延迟的影响因素包括：
A.晶体管尺寸
B.电源电压
C.电路拓扑结构
D.以上都是
答案：D
6.CMOS电路的功耗主要分为：
A.静态功耗
B.动态功耗
C.开关功耗
D.短路功耗
答案：A,B
7.在CMOS电路中，提高晶体管尺寸可以：
A.提高速度
B.降低功耗
C.提高功耗
D.以上都不是
答案：B
8.CMOS电路的输入级通常采用：
A.PMOS晶体管
B.NMOS晶体管
C.CMOS晶体管
D.以上都不是
答案：C
9.在CMOS电路中，电源电压降低会：
A.提高功耗
B.降低功耗
C.提高速度
D.降低速度
答案：B,D
10.CMOS电路的输出级通常采用：
A.PMOS晶体管
B.NMOS晶体管
C.CMOS晶体管
D.以上都不是
答案：C
三、判断题（每题2分，共10题）
1.CMOS电路的静态功耗为零。
答案：正确
2.CMOS电路的动态功耗与电源电压的平方成正比。
答案：正确
3.CMOS电路的噪声容限与电源电压无关。
答案：错误
4.CMOS电路的逻辑门延迟与晶体管尺寸无关。
答案：错误
5.CMOS电路的功耗主要来源于动态功耗。
答案：正确
6.CMOS电路的输入级通常采用PMOS晶体管。
答案：错误
7.CMOS电路的输出级通常采用NMOS晶体管。
答案：错误
8.CMOS电路的电源电压降低会提高功耗。
答案：错误
9.CMOS电路的噪声容限包括高电平噪声容限和低电平噪声容限。
答案：正确
10.CMOS电路的逻辑门延迟与电路拓扑结构无关。
答案：错误
四、简答题（每题5分，共4题）
1.简述CMOS电路的优点。
答案：CMOS电路的优点包括低功耗、高速度、高集成度。低功耗是因为CMOS电路在静态时功耗为零，动态功耗与电源电压的平方成正比，因此降低电源电压可以显著降低功耗。高速度是因为CMOS电路的开关速度较快，高集成度是因为CMOS电路可以在单个芯片上集成大量晶体管，实现复杂的逻辑功能。
2.简述CMOS电路的功耗来源。
答案：CMOS电路的功耗主要来源于动态功耗和静态功耗。动态功耗是由于电路中电荷的充放电引起的，与电源电压的平方成正比，与电路的开关活动性成正比。静态功耗是由于电路中漏电流引起的，虽然通常较小，但在某些情况下也会对功耗有显著影响。
3.简述CMOS电路的噪声容限。
答案：CMOS电路的噪声容限是指电路
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