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第五章整流、滤波及稳压电路
Commutate、FilterandManostat
5.1半导体的基础知识
5.2半导体二极管
5.3二极管基本电路及分析方法
5.4.稳压二极管
5.5二极管和稳压管在直流电源中的应用
进入电子技术章节的学习。掌握非线性元件的线性化
处理方法及估算分析法
5.1半导体的基础知识
5.1.1本征半导体
现代电子学中,半导体材料多为硅和锗,称为
4价元素,最外层有4个价电子。
SiGe
硅原子锗原子
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间。通常
纯净半导体的导电率很低,接近绝缘体,当温度升高或
掺入少量杂质,导电率大大提高,导电性能接近导体
通过一定的制作工艺,可以将纯净半导体
制成晶体结构。
纯净的单晶体结构的半导体,其原子按一定规则
排列,组成晶体点阵,称为本征半导体。
在本征半导体的晶体中,每个原子
+4+4
都与相邻原子之间形成共价键结构,
共用一对价电子。
+4+4
共价键结构
形成共价键后,每个原子最外层都有了8个电子,
而且共价键结合力很强,使原子规则地排列,形成稳定
的晶体点阵结构。
共价键中的共用电子
+4+4被紧紧束缚,称为束缚电子,
常温下,束缚电子很难脱离
共价键成为自由电子,所以
本征半导体导电能力很弱
+4+4
共价键内
共用电子对
当温度升高或受到光照,共价键中的束缚电子会
热激发成为自由电子,同时在共价键中留下一个空位,
称为空穴。本征半导体中的自由电子和空穴成对出现,
导电性能增加。半导体受温度影响很大。
相邻束缚电子填补空位的移动,形成空穴运动。
所以,半导体中形成电流的有两种载流子:带负电
的自由电子和带正电的空穴。
5.1.1杂质半导体
在本征半导体中掺入某些微量的杂质,会使半导体
的导电性能发生显著变化。
掺杂后,半导体的某一种载流子浓度大大增加,成为
多数载流子。半导体工作主要由多数载流子参与导电
两种杂质半导体:N型半导体和P型半导体
N型半导体:多数载流子为带负电的自由电子
NegativeCharge
P型半导体:多数载流子为带正电的空穴
PositiveCharge
1.N型半导体
在硅或锗晶体中掺入少量5价元素(磷或锑),纯净晶体
点阵中的某些原子被杂质原子取代,磷原子最外层的5个
价电子,与相邻4价原子形成共价键后,多余出来1个电子
在共价键外,成为自由电子,而磷原子成为不能移动的带
正电离子。因多数载流子是自由电子,称为N型半导体
硅原子
SiSi多余电子
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