第二章三极管.pptVIP

特点：1.单极性器件(一种载流子导电)3.工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低2.输入电阻高(107?1015?，IGFET可高达1015?)第29页，共61页，星期日，2025年，2月5日1结型场效应管1.结构与符号N沟道JFETP沟道JFET第30页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.工作原理(1)UGS对ID的控制作用第31页，共61页，星期日，2025年，2月5日2.UDS对ID的影响3.UDS和UGS共同作用uGS?0，uDS0此时uGD=UGS(off)；沟道楔型耗尽层刚相碰时称预夹断。当uDS?，预夹断点下移。第32页，共61页，星期日，2025年，2月5日3.转移特性和输出特性UGS(off)当UGS(off)?uGS?0时,uGSiDIDSSuDSiDuGS=–3V–2V–1V0V–3VOO第33页，共61页，星期日，2025年，2月5日一、增强型N沟道MOSFET(MentalOxideSemi—FET)2MOS场效应管