固体物理学试卷及答案.docxVIP

固体物理学试卷及答案

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每小题3分，共18分。请将正确选项的字母填在题后的括号内）

1.晶体学中，一个晶体学点群对称操作必须包含的要素是（）。

(A)平移操作

(B)反演操作

(C)绕轴旋转操作

(D)反射操作

2.在理想的晶体中，决定电子能谱结构的周期性势场通常来源于（）。

(A)原子核的库仑场

(B)周期性排列的原子核和电子

(C)晶格振动（声子）

(D)杂质原子

3.根据能带理论，在绝缘体中，价带和导带之间的关系是（）。

(A)价带是空的，导带是满的

(B)价带是满的，导带也是满的

(C)价带是满的，导带是空的，且价带顶和导带底之间有较宽的能隙

(D)价带是空的，导带是满的，且价带底和导带顶之间有禁带

4.在金属导体中，电子的散射主要来源于（）。

(A)自由电子间的碰撞

(B)晶格振动（声子）

(C)离子实间的库仑相互作用

(D)杂质原子和缺陷

5.对于一个具有N个原子、每个原子有Z个电子的周期性体系，其满带中总共有多少个电子状态（不考虑自旋）？（）

(A)N*Z

(B)N*Z/2

(C)2N*Z

(D)2N*Z/2

6.在晶体中，位错线周围的晶体结构会发生（）。

(A)恒定畸变

(B)局部畸变

(C)完全不变

(D)只有角位移

二、填空题（每空2分，共20分。请将答案填写在横线上）

1.描述晶体结构的三个基本要素是________、________和________。

2.德拜模型中，声子谱密度随频率ω的变化关系在低频区近似为________，在高频区近似为________。

3.导体中自由电子的能谱通常用________关系来描述。

4.点缺陷中，杂质原子占据晶格正常位置称为________，占据间隙位置称为________。

5.晶体中的位错可分为________位错和________位错，它们分别具有________个Burgers圆。

三、计算题（共42分）

1.（12分）设一维无限周期势场V(x)=V?*sin(kx)，其中k=2π/a，a为晶格常数。请导出该势场作用下电子的能谱E(k)表达式。假设电子质量为m*（有效质量）。

2.（15分）在金属中，电子气体的逸出功为W?。设金属内的电子服从费米-狄拉克统计分布，费米能级为E_F。电子离开金属表面需要克服势垒，势垒高度为φ(φW?)。请近似计算金属的逸出功W?与费米能级E_F以及势垒高度φ之间的关系。（提示：考虑费米-狄拉克分布函数在E=φ附近的行为）

3.（15分）一个简单立方晶体，晶格常数为a。其中存在一个肖脱基缺陷（即一个空位和一个填隙原子）。设填隙原子与周围的晶格原子相互作用等效于一个弹簧力，弹簧常数为k。请定性分析该缺陷形成时系统自由能的变化趋势，并简述其对材料性质可能产生的影响。

四、简答题（共20分）

1.（10分）简述能带形成的原因。为什么在金属、半导体和绝缘体中，能带结构会有显著的不同？

2.（10分）什么是晶体中的位错？简述位错运动对晶体塑性变形的影响。

试卷答案

一、选择题

1.(C)

2.(B)

3.(C)

4.(B)

5.(D)

6.(B)

二、填空题

1.晶格结构、原子（或格点）、周期性势场

2.ω2/ω?2，B/ω3

3.E(k)=?2k2/(2m*)

4.置换，间隙，一

5.刃，螺，一

三、计算题

1.解析思路：利用薛定谔方程求解一维周期势场中电子的定态问题。使用紧束缚近似（TB）方法，考虑相邻原子间的跃迁积分。势场V(x)=V?*sin(kx)，其中k=2π/a。电子在原子实势场中的能量为E?，相邻原子间的跃迁积分（哈密顿量矩阵元）为t。通过构建紧束缚哈密顿矩阵并求解特征值，得到能谱。

解：设电子在单个原子势场中的能量为E?，相邻原子间的跃迁积分（紧束缚参数）为t。考虑一维紧束缚模型哈密顿量：

H=E?*(|00??00|+|10??10|+|01??01|)+t*(|00??10|+|10??00|+|01??01|+|11??00|+|00??11|+|10??