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2025年新封装测试试题及答案

一、单项选择题（每题2分，共30分）

1.以下哪种先进封装技术通过硅中介层实现多芯片高密度互连？

A.Fan-outWLP

B.CoWoS（ChiponWaferonSubstrate）

C.2.5DTSV-less封装

D.倒装焊（FlipChip）

答案：B

2.芯片封装测试中，CP测试（CircuitProbe）的主要目的是？

A.验证封装后的芯片功能完整性

B.在晶圆阶段筛选不良管芯

C.测试芯片在高温高湿环境下的可靠性

D.检测封装体的机械强度

答案：B

3.关于HBM（高带宽内存）封装，以下描述错误的是？

A.采用3D堆叠技术，通过TSV（硅通孔）实现层间互连

B.堆叠层数通常为4-8层，最高已实现16层堆叠

C.主要应用于低功耗移动终端芯片

D.需解决堆叠后热管理和翘曲控制问题

答案：C

4.金线键合（WireBonding）工艺中，影响键合强度的关键参数不包括？

A.超声功率

B.键合温度

C.芯片焊盘材料（如Al或Cu）

D.封装体颜色

答案：D

5.可靠性测试中，HAST（高加速温湿度应力试验）的典型条件是？

A.85℃/85%RH，1000小时

B.130℃/85%RH，2-96小时

C.-55℃~125℃，1000次循环

D.300℃，10秒

答案：B

6.以下哪种缺陷检测技术可用于非破坏性分析封装内部空洞？

A.SEM（扫描电子显微镜）

B.X-ray（X射线成像）

C.EDS（能谱分析）

D.AOI（自动光学检测）

答案：B

7.倒装焊（FlipChip）工艺中，底部填充（Underfill）的主要作用是？

A.增强芯片与基板的机械连接，缓解热应力

B.提高封装体的散热性能

C.减少焊球氧化

D.改善封装外观

答案：A

8.关于Fan-outWLP（扇出型晶圆级封装），以下说法正确的是？

A.封装尺寸严格受限于晶圆尺寸

B.需使用临时载板进行重构晶圆

C.仅支持单芯片封装

D.互连密度低于传统引线框架封装

答案：B

9.测试程序开发中，建立DUT（被测器件）模型时，需重点考虑的参数不包括？

A.工作电压范围

B.引脚定义与功能

C.封装体颜色

D.时序特性（如建立时间、保持时间）

答案：C

10.封装材料中，EMC（环氧模塑料）的主要功能是？

A.提供电信号互连

B.保护芯片免受机械损伤和环境侵蚀

C.增强散热

D.降低封装成本

答案：B

11.以下哪种测试属于FT（FinalTest）的范畴？

A.晶圆级电性能测试（CP）

B.温度循环测试（TC）

C.封装后功能与参数测试

D.芯片背面减薄厚度检测

答案：C

12.金线键合工艺中，“球颈断裂”缺陷的常见原因是？

A.键合压力过大

B.超声功率不足

C.金线材料纯度过高

D.焊盘表面污染

答案：A

13.可靠性测试中，HTOL（高温工作寿命试验）的目的是？

A.验证封装体的抗机械冲击能力

B.加速模拟芯片在长期工作中的老化失效

C.检测封装内部是否存在开路/短路

D.评估封装材料的吸湿性能

答案：B

14.关于3D封装与2.5D封装的区别，正确的是？

A.3D封装通过中介层实现互连，2.5D通过TSV实现层间堆叠

B.3D封装堆叠芯片垂直互连，2.5D封装在同一平面内多芯片互连

C.3D封装仅用于存储芯片，2.5D封装用于逻辑芯片

D.3D封装成本低于2.5D封装

答案：B

15.封装测试中，“良率损失”的主要来源不包括？

A.晶圆制造缺陷

B.封装工艺（如键合、模塑）异常

C.测试设备校准误差

D.封装体外观颜色差异

答案：D

二、填空题（每空2分，共20分）

1.先进封装中，HBM2e标准的最大带宽可达______GB/s（典型8层堆叠）。

答案：460

2.金线键合工艺中，常用金线直径为______μm（消费电子芯片）。

答案：18-25

3.倒装焊焊球材料通常为______合金（例举主要成分）。

答案：Sn-Ag-Cu（或锡银铜）

4.可靠性测试中，J-STD-020标准规定的MSL（湿度敏感等级）最高为______级（需在24小时内完成封装）。