基于第一性原理的AlxGa1-xSb三元混晶特性研究.docx

基于第一性原理的AlxGa1-xSb三元混晶特性研究

一、引言

1.1研究背景与意义

半导体材料作为现代信息技术的基石，在过去几十年中取得了飞速发展，从第一代的硅（Si）、锗（Ge），到第二代的砷化镓（GaAs）等化合物半导体，再到第三代的碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，每一次材料的革新都极大地推动了电子器件性能的提升以及应用领域的拓展。随着科技的不断进步，对半导体材料性能的要求愈发严苛，不仅需要其具备更优的电学、光学特性，还期望能在更广泛的应用场景中发挥关键作用，这促使科研人员持续探索新型半导体材料或对现有材料进行优化。

锑化镓（GaSb）作为典型的Ⅲ-Ⅴ族化合