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半导体器件试题及答案

一、单选题（每题1分，共10分）

1.下列哪一种半导体材料是N型半导体？（）

A.硅（掺硼）B.硅（掺磷）C.锗（掺硼）D.锗（掺磷）

【答案】B

【解析】硅（Si）是四价元素，掺入五价元素磷（P）后，磷原子有五个价电子，其中四个与硅原子形成共价键，多余一个电子成为自由电子，使材料呈现N型导电特性。

2.二极管的正向导通电压通常在以下哪个范围内？（）

A.0.1VB.0.5VC.0.7VD.1.0V

【答案】C

【解析】硅（Si）二极管正向导通压降通常为0.7V，锗（Ge）二极管约为0.3V，题目未特指材料，默认硅二极管。

3.三极管的工作状态不包括以下哪种？（）

A.截止状态B.放大状态C.饱和状态D.振荡状态

【答案】D

【解析】三极管有截止、放大、饱和三种基本工作状态，振荡状态属于特殊应用，非基本工作状态。

4.场效应管的栅极电压控制其导电性能，属于哪种控制方式？（）

A.电流控制B.电压控制C.电阻控制D.电容控制

【答案】B

【解析】场效应管通过栅极电压控制沟道导电，属于电压控制器件。

5.以下哪一种器件属于双极型晶体管？（）

A.场效应管B.绝缘栅双极型晶体管C.MOS管D.二极管

【答案】B

【解析】绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是双极型器件，结合了MOS管的电压控制和BJT的电流放大特性。

6.二极管的反向饱和电流通常具有以下特点？（）

A.随温度升高而增大B.随温度升高而减小C.几乎不受温度影响D.为零

【答案】A

【解析】反向饱和电流受温度影响显著，温度升高时，载流子热运动加剧，电流增大。

7.稳压二极管的工作原理基于其特性？（）

A.正向导通特性B.反向截止特性C.反向击穿特性D.饱和特性

【答案】C

【解析】稳压二极管利用其反向击穿特性实现稳压，在反向击穿区电压基本恒定。

8.以下哪种三极管结构属于P型基区？（）

A.NPN型B.PNP型C.结型场效应管D.绝缘栅双极型晶体管

【答案】B

【解析】PNP型三极管结构为P型基区夹在N型发射区和集电区之间。

9.场效应管的输出特性曲线通常呈现哪种形状？（）

A.线性B.指数C.对数D.S型

【答案】D

【解析】场效应管输出特性曲线（转移特性）通常呈S型，表现为漏极电流随栅极电压变化的非线性特性。

10.半导体器件的PN结单向导电性主要由以下因素决定？（）

A.掺杂浓度B.温度C.光照D.电场强度

【答案】A

【解析】PN结单向导电性源于内建电场和掺杂浓度导致的扩散与漂移平衡。

二、多选题（每题4分，共20分）

1.以下哪些属于半导体器件的主要参数？（）

A.最大额定电流B.最高工作频率C.热阻D.结电容E.电压增益

【答案】A、B、C、D

【解析】电压增益主要描述放大电路性能，非器件参数。其他均为半导体器件关键参数。

2.场效应管与三极管的主要区别包括哪些？（）

A.控制方式B.输入阻抗C.输出特性D.频率响应E.功耗特性

【答案】A、B、C、D、E

【解析】两类器件在控制方式、输入阻抗、输出特性、频率响应及功耗特性上均有显著差异。

3.二极管在电路中可实现的电路功能有哪些？（）

A.整流B.限幅C.钳位D.放大E.振荡

【答案】A、B、C

【解析】二极管可实现整流、限幅、钳位功能，放大和振荡需依赖三极管或集成器件。

4.三极管的工作点（Q点）主要由哪些参数确定？（）

A.基极电流B.集电极电流C.发射极电流D.集电极-发射极电压E.基极-发射极电压

【答案】A、B、D、E

【解析】Q点由直流偏置电流和电压决定，包括基极电流、集电极电流、集电极-发射极电压及基极-发射极电压。

5.半导体器件的温度特性包括哪些方面？（）

A.阈值电压变化B.饱和电流变化C.热稳定性D.频率响应变化E.反向漏电流变化

【答案】A、B、C、D、E

【解析】温度变化影响器件多方面特性，包括阈值电压、饱和电流、热稳定性、频率响应及反向漏电流。

三、填空题（每题2分，共16分）

1.半导体器件的PN结是由______型半导体和______型半导体结合形成的。

【答案】P；N（2分）

2.三极管根据结构可分为______管和______管。

【答案】BJT；FET（2分）

3.稳压二极管工作在______区，利用其______特性实现稳压。

【答案】反向击穿；反向击穿（2分）

4.场效应管根据导电沟道可分为______沟道和______沟道两类。

【答案】N型；P型（2分）

5.二极管的正向压降在正向电流较大时，其值基本______。

【答案】恒定（2分）

6.三极管实现放大作用时，需满足______偏置和______偏置。

【答案】发射结正向；集电结反向（2分）

7.场效应管的输入阻抗非常高，可达______以上。

【答案】兆欧级（2分）

8.半导体器件的额定功率