第二章放大电路的基本原理和分析方法.ppt

2.6.3三种基本组态的比较频率响应大(几百千欧~几兆欧)大(几欧~几十欧)中(几十千欧~几百千欧)rce小(几欧~几十欧)小(几十千欧以上)中(几百欧~几千欧)rbe组态性能共射组态共集组态共基组态差较好好第61页，共91页，星期日，2025年，2月5日2.7场效应管放大电路2.7.1场效应管的特点1.场效应管是电压控制元件；2.栅极几乎不取用电流，输入电阻非常高；3.一种极性的载流子导电，噪声小，受外界温度及辐射影响小；4.制造工艺简单，有利于大规模集成；5.存放管子应将栅源极短路，焊接时烙铁外壳应接地良好，防止漏电击穿管子；6.跨导较小，电压放大倍数一般比三极管低。第62页，共91页，星期日，2025年，2月5日2.7.2共源极放大电路图2.7.3共源极放大电路原理电路VDD+uO?iDVT~+?uIVGGRGSDGRD与双极型三极管对应关系b?G,e?S,c?D为了使场效应管工作在恒流区实现放大作用，应满足：图示电路为N沟道增强型MOS场效应管组成的放大电路。(UT：开启电压)第63页，共91页，星期日，2025年，2月5日一、静态分析VDD+uO?iDVT~+?uIVGGRGSDGRD图2.7.3共源极放大电路原理电路两种方法近似估算法图解法(一)近似估算法MOS管栅极电流为零，当uI=0时UGSQ=VGG而iD与uGS之间近似满足(当uGSUT)式中IDO为uGS=2UT时的值。则静态漏极电流为第64页，共91页，星期日，2025年，2月5日3.改变Rc，保持Rb，VCC，?不变；4.改变?，保持Rb，Rc，VCC不变；增大Rc，直流负载线斜率改变，则Q点向饱和区移近。OIBiCuCEQ1Q2OIBiCuCEQ1Q2增大?，ICQ增大，UCEQ减小，则Q点移近饱和区。图2.4.9(c)图2.4.9(d)第29页，共91页，星期日，2025年，2月5日图解法小结1.能够形象地显示静态工作点的位置与非线性失真的关系；2.方便估算最大输出幅值的数值；3.可直观表示电路参数对静态工作点的影响；4.有利于对静态工作点Q的检测等。第30页，共91页，星期日，2025年，2月5日2.4.4微变等效电路法晶体管在小信号(微变量)情况下工作时，可以在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替三极管的特性曲线，三极管就可以等效为一个线性元件。这样就可以将非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路。微变等效条件研究的对象仅仅是变化量信号的变化范围很小第31页，共91页，星期日，2025年，2月5日一、简化的h参数微变等效电路(一)三极管的微变等效电路?iB?uBE晶体管的输入特性曲线?rbe：晶体管的输入电阻。在小信号的条件下，rbe是一常数。晶体管的输入电路可用rbe等效代替。1.输入电路Q点附近的工作段近似地看成直线?可认为?uBE与?iB成正比QOiBuBE图2.4.10(a)第32页，共91页，星期日，2025年，2月5日2.输出电路假设在Q点附近特性曲线基本上是水平的(?iC与?uCE无关)，数量关系上，?iC比?iB大?倍；?iB??iB从三极管输出端看，可以用??iB恒流源代替三极管；该恒流源为受控源；为iB对iC的控制。uCEQiCO图2.4.10(b)第33页，共91页，星期日，2025年，2月5日3.三极管的简化参数等效电路注意：这里忽略了uCE对iC与输出特性的影响，在大多数情况下，简化的微变等效电路对于工程计算来说误差很小。图2.4.11三极管的简化h参数等效电路cbe+?uBE?+?uCE??iC?iBebcrbe??iB+?uBE?+?uCE??iC?iB第34页，共91页，星期日，202