纳米ZnO_CdS和Nd(OH)₃的电化学构筑及其去除染料的研究.docxVIP

纳米ZnO/CdS和Nd(OH)?的电化学构筑及其去除染料的研究

一、引言

随着印染工业的快速发展，染料废水成为水体污染的重要来源。这类废水成分复杂、色度高、毒性强，传统处理方法难以实现高效降解。半导体光催化技术因具有能耗低、无二次污染等优势，成为染料废水处理的研究热点。

ZnO作为典型的n型半导体，禁带宽度约为3.2eV，具有良好的光催化活性，但存在光生电子-空穴对复合率高、可见光响应弱等问题。CdS禁带宽度较窄（约2.4eV），可见光吸收能力强，与ZnO形成异质结可有效抑制载流子复合。Nd(OH)?作为稀土氢氧化物，具有独特的电子结构和表面特性，可通过调控催化材料表面电子状态进一步提升催化性能。

本研究采用电化学沉积法构筑纳米ZnO/CdS异质结与Nd(OH)?复合催化材料，系统探究材料的制备工艺、微观结构及电化学性能，并以典型偶氮染料（如甲基橙、刚果红）为目标污染物，评价其在不同条件下的染料去除效率与机理，为新型高效染料废水处理材料的开发提供理论依据与技术支撑。

二、实验部分

（一）实验材料与仪器

实验材料：硝酸锌（Zn(NO?)??6H?O）、氯化镉（CdCl??2.5H?O）、硫脲（CH?N?S）、硝酸钕（Nd(NO?)??6H?O）、氢氧化钠（NaOH）、盐酸（HCl）、甲基橙（MO）、刚果红（CR），均为分析纯；实验用水为超纯水（18.25MΩ?cm）；基底材料为ITO导电玻璃（1.5cm×2.5cm），使用前经乙醇、丙酮、超纯水依次超声清洗15min，氮气吹干备用。

实验仪器：CHI660E电化学工作站（上海辰华仪器有限公司）、X射线衍射仪（XRD，D8Advance，德国布鲁克）、场发射扫描电子显微镜（FESEM，SU8010，日本日立）、紫外-可见漫反射光谱仪（UV-VisDRS，UV-2600，日本岛津）、总有机碳分析仪（TOC-L，日本岛津）。

（二）纳米ZnO/CdS与Nd(OH)?的电化学构筑

纳米ZnO的电化学沉积：以ITO导电玻璃为工作电极，铂片为对电极，饱和甘汞电极（SCE）为参比电极，构建三电极体系。电解液为0.1mol/LZn(NO?)?溶液，用NaOH调节pH至6.5。采用恒电位沉积法，设定沉积电位为-1.2V，沉积时间30min，沉积完成后将电极置于马弗炉中，在450℃下退火2h，得到纳米ZnO薄膜。

ZnO/CdS异质结的构筑：以沉积有ZnO的ITO电极为工作电极，继续采用恒电位沉积法制备CdS。电解液为0.05mol/LCdCl?与0.1mol/L硫脲的混合溶液（摩尔比1:2），pH调节至8.0。沉积电位设定为-0.8V，沉积时间20min，沉积后用超纯水冲洗电极表面，氮气吹干，得到ZnO/CdS异质结。

Nd(OH)?的复合修饰：采用循环伏安法（CV）在ZnO/CdS异质结表面沉积Nd(OH)?。电解液为0.01mol/LNd(NO?)?溶液，pH调节至9.0。扫描范围为-1.5V~0V，扫描速率50mV/s，循环次数10圈，沉积完成后在60℃真空干燥箱中干燥4h，最终得到ZnO/CdS/Nd(OH)?复合催化材料。

（三）材料表征与性能测试

结构与形貌表征：通过XRD分析材料的晶体结构，扫描范围2θ=10°~80°；利用FESEM观察材料的表面形貌与粒径分布；采用UV-VisDRS测试材料的光吸收性能，扫描范围200nm~800nm。

电化学性能测试：在0.1mol/LNa?SO?电解质中，通过CV、电化学阻抗谱（EIS）和瞬态光电流响应测试，分析材料的电化学行为与光生载流子分离效率。EIS测试频率范围为10?2Hz~10?Hz，交流振幅5mV；光电流响应测试采用300W氙灯（配备420nm截止滤光片）作为可见光光源，施加偏压0.5V。

染料去除性能测试：以50mL10mg/L的甲基橙或刚果红溶液为模拟染料废水，加入0.1g/L的ZnO/CdS/Nd(OH)?复合材料（若为薄膜电极则直接浸入溶液），在300W氙灯照射下进行光催化反应，每隔15min取样，通过紫外-可见分光光度计测定溶液在特征吸收波长（MO：464nm，CR：497nm）处的吸光度，计算染料去除率（去除率=(1-A/A?)×100%，其中A为反应后吸光度，A?为初始吸光度）。同时，采用TOC分析仪测定反应前后溶液的TOC含量，评价染料的矿化程度。

三、结果与讨论

（一）材料的结构与形貌分析