基于多物理场耦合的GaN电子器件物理特性深度模拟与解析.docxVIP

基于多物理场耦合的GaN电子器件物理特性深度模拟与解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着现代电子信息技术的迅猛发展，对电子器件的性能提出了愈发严苛的要求。在高频、高功率以及高温等应用场景下，传统的硅基半导体器件由于自身物理特性的局限，逐渐难以满足需求，其性能已趋近理论极限。例如，在5G通信、雷达、新能源汽车、智能电网等领域，需要器件具备更高的工作频率、更大的功率密度、更低的功耗以及更出色的散热性能。在此背景下，以氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料应运而生，凭借其一系列卓越的物理性质，在电子器件领域展现出巨大的应用潜力，成为了研究的热点。

GaN材料具备诸多优异特性。其禁带宽度约为3.4eV，是硅的3倍多，这使其能够承受更高的电场，拥有更高的击穿电压，在高功率应用中表现卓越。以新能源汽车的充电模块为例，GaN器件能够实现更高的充电功率和更快的充电速度。同时，GaN的高临界击穿电场（~3.3MV/cm，Si：~0.3MV/cm）可有效减少器件的漏电现象，显著提高器件的可靠性；高电子漂移饱和速度（~2.5×107cm/s，Si：~1×107cm/s）则使得GaN器件能够在高频下稳定工作，满足5G通信、雷达等领域对高频器件的迫切需求。在5G基站中，基于GaN的功率放大器能够实现高效的信号放大和处理，大大提高通信质量和速度。此外，GaN还具有高热导率、高化学稳定性等优点，使其能够在高温、恶劣环境下正常工作，进一步拓展了其应用范围。

基于AlGaN/GaN异质结构的高电子迁移率晶体管（HEMTs）更是在诸多领域发挥着不可替代的作用。由于AlGaN和GaN的晶格常数和禁带宽度存在差异，在异质结界面处会产生很强的压电极化和自发极化效应，从而在界面附近感生出极高密度的二维电子气（2DEG），其面密度在AlGaN/GaN异质结中可达到1013/cm2，比AlGaAs/GaAs异质结中的高一个数量级。这种高浓度的2DEG具有高电子迁移率，为器件提供了优异的沟道导电性，使得AlGaN/GaNHEMTs在高频和大功率应用中展现出卓越的性能，目前在手机快充及5G通信领域均已经实现了产业化应用。在手机快充领域，基于GaN技术的充电器可以实现更小的体积和更高的充电功率，为用户带来更便捷的充电体验。

然而，尽管GaN电子器件展现出了巨大的优势，但在实际应用中仍面临诸多挑战。器件的性能受到多种物理特性的复杂影响，如极化库仑场散射、热效应、电子输运特性等，这些因素相互交织，对器件的性能产生了关键作用。极化库仑场散射起源于AlGaN势垒层分布不均的极化电荷，当栅极偏压与漏极偏压施加在AlGaN/GaNHEMT上时，逆压电效应产生，使得栅下AlGaN势垒层应变与栅源和栅漏区域AlGaN势垒层应变不同，栅下的极化电荷密度与栅源、栅漏区域极化电荷密度的差值产生的散射势会对沟道电子产生散射作用，随着栅压减小，极化库仑场散射增强，导致电子迁移率降低，进而影响器件的跨导、特征频率、输出电流等关键性能参数。热效应也不容忽视，在高功率工作条件下，GaN器件会产生大量热量，如果不能有效散热，会导致器件温度升高，进而影响器件的性能和可靠性。

深入研究GaN电子器件的物理特性并进行精确模拟分析，对于提升器件性能、拓展应用领域具有至关重要的意义。通过模拟分析，可以深入理解器件内部的物理过程，揭示各种物理特性之间的相互关系，为器件的优化设计提供坚实的理论依据。通过对极化库仑场散射的研究，可以为器件结构的优化提供理论依据，例如通过调整栅极结构、改变栅源和栅漏间距等方式，来增强或减弱极化库仑场散射，从而实现对器件性能的调控，进一步拓展AlGaN/GaN电子器件在更多领域的应用。模拟分析还能够预测器件在不同工作条件下的性能表现，帮助研发人员提前发现潜在问题，降低研发成本和风险。因此，开展GaN电子器件的物理特性模拟及分析研究具有重要的现实意义和广阔的应用前景。

1.2国内外研究现状

在国际上，对GaN电子器件的研究起步较早，取得了一系列丰硕的成果。在材料生长方面，不断优化金属有机化学气相沉积（MOCVD）等技术，以精确控制AlGaN/GaN异质结构的生长质量和界面特性，降低位错密度，提高材料的电学性能。日本的科研团队通过改进MOCVD生长工艺参数，成功制备出高质量的AlGaN/GaN异质结，其二维电子气迁移率得到显著提升，为高性能器件的制备奠定了坚实基础。在器件结构设计与制备工艺上，众多研究致力于开发新型结构以提升器件性能。美国的研究人员提出了一种新型的栅极结构，通过优化栅极与沟道之间的电场分布，有效增强了对二维电子气的调控能力，提高了器件的跨导和特征频率