光辐射的探测技术.pptVIP

2工作特性光敏响应特性光照特性和伏安特性时间响应特性光敏电阻的响应时间常数电流上升时间tr、衰减时间tf光敏电阻的响应时间与入射光的照度，所加电压、负载电阻及照度变化前电阻所经历的时间（称为前历时间）等因素有关。稳定特性光敏电阻的阻值随温度变化而变化的变化率,在弱光照和强光照时都较大,而中等光照时,则较小。CdS光敏电阻的温度系数在10lx照度时约为0；照度高于10lx时，温度系数为正；小于10lx时，温度系数反而为负；照度偏离10lx愈多，温度系数也愈大。当环境温度在0～+60℃的范围内时，光敏电阻的响应速度几乎不变在低温环境下，光敏电阻的响应速度变慢。例如，-30℃时的响应时间约为+20℃时的两倍。光敏电阻的允许功耗,随着环境温度的升高而降低。噪声特性3几种典型的光敏电阻CdS和CdSe低造价、可见光辐射探测器光电导增益比较高(103～104)响应时间比较长(大约50ms)PbS近红外辐射探测器波长响应范围在1～3.4μm，峰值响应波长为2μm内阻（暗阻）大约为1MΩ响应时间约200μsInSb在77k下,噪声性能大大改善峰值响应波长为5μm响应时间短（大约50×10-9s）HgxCd1-xTe化合物本征型光电导探测器,它是由HgTe和GdTe两种材料混在一起的固溶体,其禁带宽度随组分x呈线