半导体加热器--氮化铝.pptxVIP

工业加热器

2025/3/16REVA

·热冲击：尽管氮化铝具有较低的热膨胀系数，但在极端温度变化下仍可能发生热冲击，需避免快速升降温。

·机械冲击：氮化铝虽然硬度高，但脆性较大，需避免机械冲击或碰撞。

陶瓷加热器通常采用电阻丝(如钨、钼)作为加热元件，通过通电使电阻丝发热，从而将热量传递给加热器表面，实现对半导体材料的加热，在半导体生产过程中具有重要作用，可用于晶体生长、退火、烘烤等工艺中。常见的加热器一般是8英寸，12英寸。按照应用分类，主要包括：化学沉积(CVD)、原子层沉积系统(ALD)、等离子体增强化学气相沉积。

半导体陶瓷加热器(氮化铝AIN加热盘)——半导体装备关键零部件在集成电路等半导体装置制造工序中，要对半导体晶圆进行成膜处理及蚀刻处理等各种处理。在对晶圆进行加工制造工艺中，需要将晶圆加热到一定温度下进行，且对晶圆温度的均匀性有非常严格的要求，因为晶圆温度的均匀性对半导体芯片的质量有着非常重要的影响；同时还需要在真空、等离子体、化学气体等环境下工作，这就要用到陶瓷加热器。

电性能优异

介电常数与Al₂O₃相近，可达8.9F/m(1MHz),介电损耗约为(3-10)×10-4(1MHz)

机械性能好

理论密度为3.26g/cm²,莫氏硬度7-8,室温下抗弯强度可达到300MPa,与 Al₂0₃陶瓷相近

耐腐蚀性好

高热导率

理论热导率：319W/m·K,实际上氮化铝晶体结构不能完全均均匀分布，且存在杂质和缺陷，热导率仅达到170-260W/m·K

高绝缘性

能隙宽度为6.2eV,电阻率1016Qm,击穿电压可达到15kV/mm

低膨胀系数

◎

需要注意：

耐高温，耐腐蚀，不为多种熔融金属和

融盐所浸润，对酸稳定，但在碱性溶液中易被侵蚀。

陶瓷加热器—氮化铝

热膨胀系数：3.5×10-6/℃(室温-200℃),与硅(Si)相近

Wafer

Heater

氮化铝

AIN

陶瓷加热器通常采用氮化铝陶瓷，氮化铝具有电绝缘性和优异的导热性，对于需散热的应用而言，它是理想之选；此外，由于其热膨胀系数接近硅，且具有优异的等离子体抗性，可被用于制造半导体加工设备部件。

氮化铝陶瓷基板性能参数

PropertySort

PropertyContent

基本性能

BasicProperties

Unit

外观/颜色Appearance/color

PropertyIndex

Gray

吸水率Waterabsorption

%

体积密度Volumedensity

0

g/cm3

表面粗糙度Surfaceroughness

≥3.30

μm

翘曲度Camber

热学性能

ThermalProperties

0.3~0.6

(length%)

热导率(30℃)Thermalconductivity

≤2%

W/m.k

(20℃~300℃)热膨胀系数Thermalexpansivity

(300℃~800℃)

力学性能

MechanicalProperties

≥180

(×10-/℃)

4.4

4.8

抗弯强度Flexuralstrength

MPa

弹性模量Modulusofelasticity

≥450

GPa

莫氏硬度Mohshardness

电学性能

Electricalproperties

项目

铝加热器

作业温度

氮化铝加热器

R.T~450℃/Max

熔点

R.T～800℃

660.25℃

1800℃

热导率

230W/mK

170~220W/mK

热膨胀系数

23.6x10-6/℃

4.03x10-6/℃

320

8

介电常数Dielectricconstant

8.9

介电损耗Dielectricloss

×10-⁴

抗电强度Diclectricstrength

2.8

KV/mm

体积电阻率Volumeresistivity

陶瓷加热器—氮化铝

≥17

Ω.cm

展

≥104

注意事项：

1.AIN粉末的纯度和均匀性直接影响加热盘的热导率和电绝缘性能；

2.升温速率不宜过快，以防止坯体开裂或变形；

3.烧结过程中需严格控制温度和气氛，避免氮化铝分解或氧化；

4.加热元件的布局需合理，以确保加热盘的温度均匀性；

5.加热元件与氮化铝基体的热膨胀系数需匹配，以减少热应力；

6.氮化铝硬度高但脆性大，加工时需使用专用工具，避免产生裂纹或崩边；

7.加工后需进行表面处理，以减少表面缺陷对性能的影响；

8.由于氮化铝的热膨胀系数较低，加热盘在高温下可能产生热应力，需通过设计优化(如增加支撑结构)来减少应力集