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InAs与InP半导体纳米线：从非线性光学吸收到载流子超快弛豫的特性剖析与应用展望

一、引言

1.1研究背景

在现代材料科学与技术领域，半导体纳米线作为一种重要的低维纳米材料，凭借其独特的物理性质和广泛的应用前景，成为了研究的焦点。半导体纳米线是指在两个维度上的尺寸处于纳米量级（通常为1-100纳米），而在另一个维度上具有较大尺寸的一维结构材料。这种特殊的纳米级尺寸赋予了半导体纳米线许多与传统体材料截然不同的特性。

从量子力学的角度来看，由于纳米线的尺寸在某些维度上与电子的德布罗意波长相当，量子限域效应显著。电子在纳米线中的运动被限制在一个极小的空间范围内，其能量状态由连续的能带结构