微电子学基础教程与习题集.docxVIP

第PAGE页共NUMPAGES页

微电子学基础教程与习题集

一、选择题（每题2分，共20题）

1.微电子学的主要研究对象是（）。

A.光电子器件

B.半导体器件

C.电磁器件

D.机械电子器件

2.硅材料的禁带宽度约为（）。

A.1.1eV

B.2.3eV

C.0.7eV

D.3.0eV

3.N型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

4.P型半导体中，多数载流子是（）。

A.电子

B.空穴

C.两者皆有

D.两者皆无

5.MOSFET的英文全称是（）。

A.Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor

B.Metal-Oxide-SemiconductorFuse-EffectTransistor

C.Metal-Oxide-SemiconductorForce-EffectTransistor

D.Metal-Oxide-SemiconductorFlow-EffectTransistor

6.CMOS电路的优点不包括（）。

A.功耗低

B.噪声容限大

C.制造工艺复杂

D.开关速度高

7.VLSI技术的中文全称是（）。

A.VeryLargeScaleIntegration

B.VeryLargeSampleIntegration

C.VeryLargeSystemIntegration

D.VeryLargeStructureIntegration

8.LSI技术的中文全称是（）。

A.LargeScaleIntegration

B.LargeSampleIntegration

C.LargeSystemIntegration

D.LargeStructureIntegration

9.ULSI技术的中文全称是（）。

A.UltraLargeScaleIntegration

B.UltraLargeSampleIntegration

C.UltraLargeSystemIntegration

D.UltraLargeStructureIntegration

10.半导体器件的特性曲线中，转移特性曲线描述的是（）。

A.输出电流与输入电压的关系

B.输出电压与输入电流的关系

C.输出电流与栅极电压的关系

D.输出电压与栅极电压的关系

二、填空题（每题2分，共10题）

1.半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。

2.二极管的基本特性是单向导电性。

3.三极管的主要作用是放大信号。

4.MOSFET分为增强型và耗尽型两种。

5.CMOS电路由PMOS和NMOS管组成。

6.VLSI技术可以实现大规模集成电路。

7.LSI技术可以实现中规模集成电路。

8.ULSI技术可以实现超大规模集成电路。

9.半导体器件的制造工艺包括光刻和蚀刻。

10.MOSFET的栅极通过氧化层与半导体隔离。

三、简答题（每题5分，共5题）

1.简述半导体材料的分类及其特点。

2.解释MOSFET的工作原理。

3.比较CMOS电路和BJT电路的优缺点。

4.描述VLSI技术的应用领域。

5.分析半导体器件制造工艺中的关键步骤及其作用。

四、计算题（每题10分，共2题）

1.已知一个MOSFET的阈值电压为0.7V，栅极电压为2V，沟道长度为10μm，沟道宽度为20μm，电子迁移率为1500cm2/V·s，求该MOSFET的导电电流。

2.一个CMOS反相器的输入电压为3V，输出电压为0V，求该反相器的噪声容限。

答案与解析

一、选择题

1.B（半导体器件是微电子学的主要研究对象）

2.A（硅材料的禁带宽度约为1.1eV）

3.A（N型半导体中，多数载流子是电子）

4.B（P型半导体中，多数载流子是空穴）

5.A（MOSFET的英文全称是Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）

6.C（CMOS电路的制造工艺并不复杂）

7.A（VLSI技术的中文全称是VeryLargeScaleIntegration）

8.A（LSI技术的中文全称是LargeScaleIntegration）

9.A（ULSI技术的中文全称是UltraLargeScaleIntegration）

10.C（转移特性曲线描述的是输出电流与栅极电压的关系）

二、填空题

1.是（半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间）

2.是（二极管的基本特性是单向导电性）

3.是（三极管