探索石墨烯_NiO界面：RRAM阻变特性与机制解析.docx

探索石墨烯/NiO界面：RRAM阻变特性与机制解析

一、引言

1.1研究背景与意义

随着信息技术的迅猛发展，对数据存储的需求呈现出爆发式增长，存储器技术的革新成为推动信息产业进步的关键因素。在众多新型存储器中，阻变随机存取存储器（RRAM）以其独特的优势脱颖而出，被视为最具潜力的下一代非易失性存储器技术之一。RRAM具有结构简单、存储密度高、读写速度快、功耗低以及与传统互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容性良好等特点，这些优势使其在大数据存储、人工智能、物联网等领域展现出巨大的应用潜力。

在RRAM的研究中，寻找合适的阻变材料以及优化器件结构是提升其性能的核心。氧化镍（NiO）作为