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半导体行业半导体光刻工艺工程师岗位招聘考试试卷及答案

试题部分

一、填空题（共10题，每题1分）

1.光刻工艺中，将光刻胶涂覆在晶圆表面的过程称为______。

2.半导体光刻常用的深紫外（DUV）光源波长包括248nm和______nm。

3.光刻胶根据显影后溶解性变化可分为正性光刻胶和______光刻胶。

4.曝光过程中，光刻胶吸收光子后发生______反应，改变其在显影液中的溶解性。

5.光刻工艺中，衡量图形最小尺寸的参数是______（填写英文缩写）。

6.显影的作用是去除光刻胶中______（填“曝光”或“未曝光”）的部分。

7.光刻机的核心部件包括光源、______和工件台。

8.光刻对准精度的常用单位是______（填写英文缩写）。

9.光刻胶的灵敏度是指引发光刻胶发生化学变化所需的最小______。

10.光刻工艺后，用于检测图形尺寸的设备是______（填写英文缩写）。

二、单项选择题（共10题，每题2分）

1.以下哪种光源波长对应的光刻技术可用于7nm制程节点？（）

A.365nmB.248nmC.193nmD.13.5nm

2.光刻胶的主要组成成分不包括（）

A.树脂B.感光剂C.溶剂D.金属离子

3.曝光剂量过高会导致光刻胶显影后（）

A.图形残留B.图形过细C.图形边缘模糊D.无明显变化

4.浸没式光刻技术中，浸没液体的主要作用是（）

A.冷却晶圆B.提高光源强度C.增加数值孔径D.清洁掩模版

5.光刻工艺中，对准标记的作用是（）

A.指示曝光区域B.实现掩模版与晶圆图形的精确套刻C.检测光刻胶厚度D.校准光源波长

6.正性光刻胶显影时，通常使用的显影液类型是（）

A.酸性溶液B.碱性溶液C.有机溶剂D.去离子水

7.光刻胶涂覆最常用的方法是（）

A.喷雾涂覆B.旋涂C.浸涂D.辊涂

8.以下哪种缺陷属于光刻工艺中的“桥连”缺陷？（）

A.图形边缘锯齿B.相邻线条连接在一起C.图形缺失D.晶圆表面划伤

9.光刻机分辨率公式（瑞利准则）R=kλ/NA中，NA代表（）

A.光源波长B.数值孔径C.工艺因子D.曝光剂量

10.光刻工艺的核心目的是（）

A.去除晶圆表面杂质B.将掩模版图形转移到光刻胶上C.形成半导体PN结D.增加晶圆厚度

三、多项选择题（共10题，每题2分）

1.光刻工艺的主要步骤包括（）

A.涂胶B.曝光C.显影D.刻蚀E.去胶

2.影响光刻胶性能的关键因素有（）

A.灵敏度B.对比度C.黏附性D.热稳定性E.颜色

3.光刻机的核心子系统包括（）

A.光源系统B.掩模版传输系统C.对准系统D.真空系统E.显影系统

4.光刻缺陷的可能来源有（）

A.掩模版缺陷B.光刻胶涂覆不均C.曝光剂量波动D.显影液浓度变化E.晶圆表面污染

5.提高光刻分辨率的技术手段包括（）

A.减小光源波长B.增加数值孔径C.使用相移掩模D.减小工艺因子kE.降低曝光剂量

6.光刻胶的组成成分包括（）

A.树脂B.感光剂C.交联剂D.溶剂E.抗反射涂层

7.常见的光刻曝光方式有（）

A.接触式曝光B.接近式曝光C.投影式曝光D.电子束曝光E.离子束曝光

8.光刻工艺中常用的检测项目包括（）

A.关键尺寸（CD）B.套刻误差（OVERLAY）C.光刻胶厚度D.表面粗糙度E.晶圆翘曲度

9.影响光刻对准精度的因素有（）

A.标记质量B.机械振动C.温度变化D.光源强度E.光刻胶厚度

10.光刻胶显影效果的影响因素包括（）

A.显影时间B.显影温度C.显影液浓度D.光刻胶厚度E.曝光剂量

四、判断题（共10题，每题2分）

1.光刻是半导体制造中实现图形转移的唯一方法。（）

2.光刻胶的灵敏度越高，其工艺宽容度越大。（）

3.曝光剂量不足会导致显影后光刻胶图形过宽。（）

4.浸没式光刻技术通常使用水作为浸没液体。（）

5.光刻胶的厚度越大，其分辨率越高。（）

6.对准精度仅影响半导体器件的套刻误差，与器件性能无关。（）

7.显影后的烘焙工艺称为“软烘焙”。（）

8.光刻工艺中，掩模版上的图形与晶圆上最终形成的图形完全一致。（）

9.光刻胶的对比度越高，显影后图形边缘越陡峭。（）

10.光刻机的分辨率与光源波长成反比，与数值孔径成正比。（）

五、简答题（共4题，每题5分）

1.简述光刻工艺的基本流程及各步骤的主要作用。

2.说明光刻胶的灵敏度和对比度的定义，并简述其对光刻工艺的影响。

3.解释光刻机的“分辨率”和“套刻精度”的定义，及其对半导体器件性能的影响。

4.分析光刻工艺中“图形倒塌”缺陷的常见原因及解决措施。

六、讨论题（共2题，每题5分）

1.随着半导体制程向3nm及以下节点发展，光刻技术面临哪些主要挑战？请列举至少3点并简述可能的解决方案。

2.作为光刻工艺工程师，在日常工作中需要关注哪些关键工艺参数？这些参数对器