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缓冲层上氧化铪基铁电薄膜的化学溶液法制备
目录
摘要………………I
1.绪论…………..1
1.1……………
1.1
摘要
铁电薄膜材料具有非易失性、低功耗、高擦写次数等优点，优异的性能可以使用在铁电储存器上。氧化铪（HfO2）基铁电薄膜材料是一种新型铁电材料，能与互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺兼容，且具有小型化、保持性能的优点，被用来处理SiO2/Si结构的尺寸极限问题。这些优点使得HfO2基铁
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